本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层...

本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基...

本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和栅极层；利用光刻...

本发明提供一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一SGOI衬底，包括埋氧层和P型重掺杂SiGe；在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述N型重掺杂SiG...

本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半...

本发明提供一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：...

本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应...

本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构；步骤二、采用表面修饰...

本发明提供一种多层多采集点的起重机械结构健康监测系统。所述多层多采集点的起重机械结构健康监测系统至少包括：分别设置在起重机械不同位置的多个传感器；分别设置在起重机械一关键位置的多个数据采集结点，每一数据采集结点均与各自所在位置附近的至少...

本发明提供一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法，包括步骤：1）对生长衬底进行抛光处理并进行清洗；2）将所述生长衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述生长衬底进行等离子体预处理；3）采用等离子...

本发明提供一种基于市电的开关功放电路。该开关功放电路至少包括：用于将市电整流为直流电的整流电路；用于基于所述直流电来提供所需的共模电平的共模电平提供电路；用于基于所述直流电与所述共模电平来分别提供相互对应的正向脉宽信号与反向脉宽信号的P...

本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层...

本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括：提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底；形成浮动电势交流介电泳结构：至少一第一子电极的第一电极部、至少包括一第二子电极和子电极连接线的第二电极部和至少一第三子电极的第三电极部，所述子电极连接线...

本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只需要几十个纳米的...

本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断...

本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通...

本实用新型提供一种复位系统及所适用的超导量子干涉传感器。所述传感器中包括用于复位输出端的第一复位电路，用于复位反馈电路的第二复位电路，以及用于复位积分电路的第三复位电路，当所述传感器中的时序控制电路接收到复位指令，控制所述第二复位电路和...

本实用新型提供一种超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器。根据本实用新型所述的磁探测器，由偏置电路向所述超导量子干涉传感器中的放大器提供偏置电压，所述放大器经分压电阻分压，将分压后的偏置电压提供给超导量子干涉传感器中的超导量子干涉器件，同...

本实用新型提供一种基于智能手机的汽车TPMS系统，所述汽车TPMS系统至少包括：若干安装于轮胎内的传感器模块、中继器模块和智能手机，其中，所述传感器模块和所述中继器模块通过无线射频进行通信连接；所述中继器模块与所述智能手机通过蓝牙进行通...

本发明涉及生物检测领域，特别是涉及一组肺癌早期诊断用microRNA生物标志物及其应用。本发明提供一组肺癌早期诊断用miRNA生物标志物，所述miRNA生物标志物包括：hsa-miR-125a-5p，hsa-miR-193a-5p，hs...