【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种石墨烯场效应管的制作方法，其特征在于，所述石墨烯场效应管的制作方法至少包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有二氧化硅层；在所述半导体衬底上形成浮动电势交流介电泳结构，所述浮动电势交流介电泳结构包括：第一电极部、第二电极部和第三电极部，其中第一电极部至少包括一第一子电极，第二电极部至少包括一第二子电极和子电极连接线，所述子电极连接线贯穿连接所有所述第二子电极，第三电极部至少包括一第三子电极，所述第一子电极和第二子电极，第二子电极和第三子电极的顶端分别一一相对；在所述半导体衬底和浮动电势交流介电泳结构的表面形成碳纳米管悬浮液；利用交流介电泳工艺使得每一相对的第二子电极和第三子电极之间连接一碳纳米管；利用溅射工艺在所述半导体衬底和碳纳米管上形成金属层；腐蚀所述金属，同时破坏与所述金属连接的碳纳米管的上表面结构，以在所述第二子电极与第三子电极之间的半导体衬底上形成石墨烯纳米带。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩敏，谢红，孙秋娟，王慧山，吴天如，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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