本实用新型涉及一种温度特性良好的半电源电压产生电路，包括初始半电源电压产生电路、半电源电压传导电路、输出级电路和负反馈电路，所述初始半电源电压产生电路的输出端与半电源电压传导电路的输入端相连，半电源电压传导电路的输出端与输出级电路相连，...

本发明提供一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法，包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上生长第一超导材料层；S2：形成光刻胶层并图案化；S3：刻蚀掉所述预设区域的第一超导材料层；S4：在步骤S3获得的结构正面及侧面覆盖一层绝缘材料；S5：...

本实用新型公开了一种结构紧凑的模块化超导电子设备吊舱，其特征在于：（a）所述的吊舱由上端盖、下端盖、外壳和穿舱件组成，吊舱穿舱件则固定于上端盖中心；（b）吊舱采用紧凑的三个偏心圆堆板材构建模块化堆栈结构，在防止杜瓦缸体外侧的真空抽气阀磕...

本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的...

本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单...

本发明提供一种氧化石墨烯量子点的提纯方法，所述氧化石墨烯量子点的提纯方法至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中混入表面活性剂以形成混合溶液；向所述混合溶液中加入非极性溶剂，以将所述氧化石墨烯量子点萃取到所述...

本发明提供一种氧化石墨烯量子点粉体的制备方法，至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中加入铵盐，以形成所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液；向所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液中加入非质子极性溶剂，以得到所...

本实用新型提供一种超导量子干涉传感组件及所适用的超导量子干涉传感器。所述传感器包括：超导量子干涉传感组件及所连接的读出电路。其中，所述超导量子干涉传感组件包括：与外接的偏置电源相连的超导量子干涉器件；与所述超导量子干涉器件互感的反馈线圈...

本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有...

本发明涉及一种可检测仲胺的化合物及其制备和应用，该化合物含有硼酯及与其通过共轭结构相连氟硼吡咯结构单元其结构通式如（I)所示，其中R1和R2各自独立的选自苯、萘、蒽、芘、咔唑、三苯胺、连二萘、噻吩、喹啉、咪唑、罗丹明；其制备方法简单、产...

本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从...

本发明涉及一种边发射半导体激光器谐振腔腔面的非解理制备方法。其特征在于：设计并生长激光器的特定材料结构，利用光刻方法制备激光器的谐振腔掩膜图形，根据激光器材料结构选用特定腐蚀液并刻蚀谐振腔，再利用选择性腐蚀液对腐蚀牺牲层进行侧向腐蚀，在...

本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明...

本发明涉及一种消除封装应力的悬浮式力敏传感器芯片及其制作方法。该芯片包括一块单晶硅基片和均集成在该单晶硅基片上的悬臂梁和压力传感器；采用单硅片单面微加工方法把悬臂梁和传感器集成在该单晶硅基片的同一表面，其中，压力传感器集成在悬臂梁结构上...