本发明提供一种高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法。根据本发明的制备方法，先在已形成第一电极的结构表面制备具有容置空间的过渡材料层，其中，该容置空间对应于第一电极；随后在形成过渡材料层的结构上制备相变材料层，并使所述相变材料层...

本发明提供一种抗EMI LIN总线信号驱动器，包括：连接一信号输入端用以通过冲放电电流控制所述信号输入端输入的信号斜率的斜率控制单元，连接所述斜率控制单元的轨到轨输出缓冲单元，连接所述斜率控制单元及轨到轨输出缓冲单元的跨导放大单元，以及...

本发明涉及一种无线传感器网络数据汇聚方法，包括以下步骤：1.建立路由阶段：由汇聚节点发起建立分层级的网络，其它节点按照本文所述的规则建立路由。所有节点维护其层级，邻居节点和父节点列表。节点的层数等于节点到汇聚节点的跳数；2.数据传输阶段...

本发明涉及一种悬浮栅调整汽车燃油喷射系统运算放大器的方法，其特征在于利用悬浮栅极储存电荷的特性，在晶体管的悬浮栅极上编程一定量的电荷，从而调节晶体管的阀值电压，使加在栅极上的电压提高或降低，使晶体管正常导通，从而使运算放大器的输入失调电...

本发明提供一种超导量子干涉传感器的标定设备及标定方法。所述标定设备包括：在三个正交的维度方向设置线圈，各所述线圈所围空间中的磁场均匀区域用于放置所述超导量子干涉传感器；与每个维度方向的线圈相连的信号发生器，用于向各所述线圈输出驱动电流，...

本发明涉及汽车燃油喷射系统中运算放大器输入失调电压调整方法，其特征在于利用悬浮栅极储存电荷的特性，在MOS晶体管的漏极和栅极上加上足够电压，在悬浮栅极上编程一定量的电荷，调节晶体管的阀值电压；使施加在悬浮栅极的电压按需要提高或降低，使晶...

本发明涉及一种在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法，采用油胺（Oleylamine，CAS号：112-90-3）作为反应的溶剂以及反应体系中的还原剂，在具有含氧官能团（如羟基、羧基、羰基和环氧基）修饰的石墨烯材料表面将贵金属前驱体还原...

本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技...

本发明提供一种智能电网中基于服务质量应急通信传输时隙分配系统和方法，应用于智能电网中，包括：N个智能终端通过上行帧控制部分向数据中心申请数据时隙，用以传输上行数据部分，N为正整数；所述数据中心根据上行帧控制部分修改下行帧控制应答部分的长...

本发明涉及传感器制造领域，尤其涉及一种用于基因检测的质量型传感器。本发明提供一种用于基因检测的质量型传感器，包括质量型传感器本体，其特征在于，所述质量型传感器本体的非检测敏感位置表面设有聚乙二醇单分子层，所述质量型传感器本体的检测敏感位...

本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S4...

本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO2保护层；S2：从所述SiO2保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO2保护层，在所述顶层硅表面外延...

本发明提供一种石墨烯器件的制作方法，所述石墨烯器件的制作方法至少包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成PVA层；在所述PVA层上形成PMMA层；在所述PMMA层上形成石墨烯器件；将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯...

本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所述单晶SiGe薄...

本发明提供一种一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法，所述一次性可编程存储器至少包括：相变存储单元，用于存储需要写入的数据；写入单元，用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中；读取单元，用于读取存储在相变存储单元中的数据；读参考单元，...

本发明提供一种荧光碳基量子点的制备方法，所述荧光碳基量子点的制备方法至少包括：提供氧化的碳基量子点粉体；提供溶剂，并将所述氧化的碳基量子点粉体分散在所述溶剂中，得到氧化的碳基量子点溶液；在所述氧化的碳基量子点的溶液中加入掺杂剂，利用溶剂...

本实用新型涉及一种激光点光源簇的产生装置，包括用于产生激光束（21）的激光源（11）、位于激光器一侧并设有通孔的光阑（12）以及位于光阑一侧、均匀分布微孔的滤纸（13）；所述激光源（11）产生的激光束（21）经过光阑（12）的通孔后被限...

本实用新型提供一种超导量子干涉器件的特性扫描装置。本实用新型所述装置包括：基于互感原理输出变化电压信号并向超导量子干涉器件提供高频交流扫描磁场环境的扫描磁通加载单元；与所述超导量子干涉器件的供电端相连、且提供变化的偏置电流的偏置电压发生...

本实用新型提供一种基于多通道的超导量子干涉传感系统，包括：多个超导量子干涉器件；至少一个集成式读出电路结构，其中，所述集成式读出电路结构包括：多个读出电路板，用于将所述超导量子干涉器件所提供的感应信号进行放大、反馈处理，并予以输出；将各...

本实用新型提供一种积分电路及所适用的超导量子干涉传感器。根据本实用新型所述的传感器，在所述积分电路中配置受外部控制信号的选通器，并根据所述控制信号改变所述积分电路，使得所述积分电路能够进行正极性积分、负极性积分、复位和调试中的一种。由此...