本发明提供一种锗基石墨烯的成骨促进用途。锗基石墨烯能够明显促进骨髓间充质干细胞早期的碱性磷酸酶表达及后期的骨钙素表达，具有明显的促进骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力。可以将锗基石墨烯负载到硬组织植入体表面并植入人体或动物体，提高成骨...

本实用新型提供一种基于电流模的总线接收器，所述总线接收器至少包括参考电压产生单元，用于产生总线信号的参考电压；第一电压电流转换单元，与所述参考电压产生单元相连，用于将所述参考电压转换成参考电流；第二电压电流转换单元，用于将接收的总线信号...

本实用新型提供一种偏移电压调节电路及所适用的超导量子干涉传感器。其中，所述传感器包括：与外接的可调偏置电源相连的偏置电路；与所述偏置电路相连的超导量子干涉器件；与所述偏置电源和外接的可调偏移电源相连的偏移电压调整电路，用于根据所述偏置电...

本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT系统与现有技术相...

本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM...

本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜...

本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的...

本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束...

本发明涉及一种基于自适应学习实现空调智能节能控制的系统，其中包括客户端装置；中心控制平台，用以通过所述的客户端装置接收用户指令信息并对用户操作习惯进行自适应学习；控制器装置，与被控制的空调相连接，所述的控制器装置用以接收所述的中心控制平...

一种基于SBC构型的磁通量子计数的磁场直接读出电路，其特征在于SBC芯片（1）、放大器（2）、积分器（3）、反馈电阻（4）和反馈线圈（5）构成磁通锁定环路，磁通计数单元（6）进行逻辑判定、控制波形发生与整形后，通过放电开关对积分器（3）...

本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法，包括：地址寄存器逐位接收外部地址；当（LSB+A）位接收到地址时，预读2M+A位数据并锁存；当LSB位接收到地址时，从2M+A位预读数据中译码出2M位目标数据并锁存，同时输出地址自...

本发明提供一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法，包括：将读出时间延长半个至若干个时钟周期，所述方法通过SPI接口输出电路的调整配合以实现。所述SPI接口输出电路包括：寄存数据的数据输入/输出寄存器、内部时钟的产生电路、通...

本发明涉及一种半导体材料过滤位错的方法，提供第一晶体层，在所述第一晶体层上依次外延生长内嵌有金属颗粒的过滤层和器件层，利用嵌入在半导体材料内部的金属颗粒过滤位错。本发明操作工艺简单，易控制，可有效地过滤穿透位错，具有良好的应用前景。

本发明涉及一种实现楼宇照明节能控制的系统及方法，其中包括第一终端节点，用以采集人员信息；第二终端节点，用以采集光线强度信息；第三终端节点，用以根据照明模式控制指令对房间的照明模式进行设置；路由节点，用以接收第一终端节点和第二终端节点发送...

本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述的相变存储器单元的存储介质层是由SbxTe1-x层和TiyTe1-y层交替堆叠组成的超晶格薄膜结构，形成稳定的层状(SbxTe1-x)-(TiyTe1-y)相变材料。其中0.4≤x≤0.8，...

本实用新型提供一种标定电路结构。所述标定电路结构包括：印刷电路板，印制第一线圈和多个第二线圈，其中，所述第一线圈的尺寸大于所述多通道超导量子干涉传感阵列的尺寸；各所述超导量子干涉器磁传感器位于以所述第一线圈的圆心为圆心的至少两个同心圆的...

本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百分含量为1.1％...

本发明提供一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法，包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上制备水平石墨烯；将所述衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述衬底进行等离子体预处理；保持通入还原气体并通入生...

本发明提供一种太赫兹量子阱探测器绝对响应率的标定方法及装置，所述装置至少包括：驱动电源、单频激光源、光学镜、太赫兹阵列探测器、太赫兹功率计、电流放大器及示波器。所述标定方法采用功率可测定的单频激光源作为标定光源，得到探测器在该激光频率处...

本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生...