本发明提供一种信噪比估计方法，用于根据接收信号中插入的导频估计接收信号的信噪比，该方法包括以下步骤：步骤S1，从所述接收信号中获取所述导频所在位置的导频数值Xm,k、信道估计值Hm,k和高斯白噪声Nm,k，其中，m,k表示相应所述导频位...

本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2...

本发明涉及一种通过无损掺杂提高石墨烯迁移率的方法，包括：配制水合肼溶液，然后将石墨烯样品放入水合肼溶液中1min-12h，取出后吹干，得到无损掺杂石墨烯。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜，而且对石墨烯薄膜没有破坏作用；...

本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过...

本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的...

本发明提供一种硅通孔的制作方法，在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层，其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处；而后，在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽，而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层；再背面减薄所述基板直至暴露所述...

本发明提供一种折叠槽天线结构及其制作方法，通过在硅衬底上涂覆具有流动性的低介电常数的有机介电材料并固化作为天线的介质基板，在该基板上制作折叠槽天线图形，并在天线图形下方对应的区域刻蚀所述硅衬底形成介质空腔。介质空腔的刻蚀方法为：在制作天...

本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽，并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极，以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环形通槽的填充物致...

本发明提供一种双向移动通信环境模拟系统。根据本发明所述系统，由主控单元基于所获取的用于模拟空间信道环境的模型参数进行模型参数确定上行/下行信道环境的衰落条件参数，并基于所获取的上行/下行子帧配置参数及来自外部输入的帧同步信号生成用于切换...

本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的设计方法，包括：1）根据太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应频率在器件材料中的波长λp，设计刻蚀光栅的周期P，使P＝λp；2）计算在入射光照射下太赫兹量子阱光电探测器内部的电磁场分布；3）提取电磁场分布...

本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽...

本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用S...

本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用...

本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变...

本发明提供一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法，所述电路包括：用于根据输出电压的变化产生使能信号的使能信号产生电路，其通过控制所述升压模块的工作状态调节输出电压，最终输出电压控制在一个允许的范围内波动；连接于所述使能信号产生电路的升压...

本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加...

本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪...

本发明提供一种高Q电感及制备方法。首先，将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；接着，在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；随后再在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；最后，对已形成电感结构的基底结构进行腐蚀，来去...

本发明提供一种相变存储器系统，至少包括：I2C接口电路模块、交互电路模块和相变存储器模块；所述相变存储器模块包括存储阵列；I2C接口电路模块分别与交互电路模块和相变存储器模块相连，其中，所述交互电路模块适于在接收所述前字节数据读取信号或...

本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对...