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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
能自组网的多功能腕式通信设备制造技术
本实用新型提供一种能自组网的多功能腕式通信设备。所述能自组网的多功能腕式通信设备呈腕式,且至少包括:用于方位定向的电子罗盘;配置有微带天线的无线传输模块;与所述电子罗盘及无线传输模块相连接的处理控制模块以及连接所述处理控制模块的人机交互...
一种InP基中红外InAsBi量子阱结构制造技术
本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构,采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层,同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0<x<0.53作为量子阱结构的势垒...
一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器制造技术
本发明提供一种基于介质薄膜反射镜的超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;全介质多层薄膜反射镜,结合于所述衬底表面;超导纳米线,结合于所述全介质多层薄膜反射镜表面。所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底,所述全介质多层薄膜反射镜包括交替...
3mm波段接收机及其应用制造技术
本发明提供一种3mm波段接收机及其应用,其中,所述3mm波段接收机至少包括:接收天线,用于接收射频信号;低噪声放大器,用于将所述接收天线接收到的射频信号进行放大;本振信号源,用于产生本振信号;正交混频器,用于将所述低噪声放大器的输出信号...
一种基于超导纳米线的高偏振比单光子探测器制造技术
本发明提供一种基于超导纳米线的高偏振比单光子探测器,包括:衬底;抗反射层,结合于所述衬底表面;超导纳米线,呈周期性蜿蜒结构结合于所述抗反射层表面,所述超导纳米线的宽度为不大于75纳米,厚度为不小于7纳米,占空比为不大于40%。本发明通过...
基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法技术
本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法,其中,所述基于声子晶体的微流控结构至少包括:声子晶体;所述声子晶体至少包括:固体基板,以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域;所述声学波控制区域适于通过设置...
分布式随机访问文件系统及其访问控制方法技术方案
本发明提供一种分布式随机访问文件系统及其访问控制方法,其中,所述分布式随机访问文件系统至少包括:进程管理模块,用于在用户请求打开、关闭和读/写被访问文件时,管理进程对所述被访问文件的打开、关闭和读/写操作;查询判断模块,用于查询所述映射...
双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法技术
本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法,其特征在于结构上由双层底充胶填充,第一层在芯片端,在圆片上采用旋涂工艺制作;第二层在基板端,在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充;第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶...
一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法技术
本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法,包括步骤:通过至上而下的工艺在(111)型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层,并以此为绝缘层在其上制作栅极,同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极,...
一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法技术
本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法,包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成,外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用,内层掩膜起到保护GaN籽晶的作...
一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法技术
本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法,在分子束外延生长异质材料时,先关闭生长前一层材料所需的所有快门,经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门,即可;其中,0<t≤0.5。本发明克服快门机械移动过程引起的异质...
测量激光器内量子效率和内损耗的方法技术
本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法,包括以下步骤:S1:在激光器光路上设置一外部光反馈装置;S2:将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面;通过改变外部光反馈装置的反射率来调...
降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件技术
本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件,包括步骤:于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器;其中,所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由...
一种功率校准测试系统及校准测量方法技术方案
本发明提供一种功率校准测试系统,包括设定目标功率与目标频段的系统设置装置、连接于所述系统设置装置与功率传感器测量输出功率的功率计、连接于所述功率计产生微波信号的微波矢量网络分析仪、连接于所述微波矢量网络分析仪的倍频器、连接于所述倍频器的...
一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法技术
本发明提供一种利用化学气相沉积法制备硫掺杂石墨烯的方法,包括步骤:1)提供一金属衬底,将该金属衬底置于化学气相沉积反应腔中;2)采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理;3)于第一温度下对所述反应腔通入氢气,以对所述金属衬底表面的氧化...
一种对石墨烯进行硫掺杂的方法技术
本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法,包括步骤:1)提供石墨烯,将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中;2)采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理;3)于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂;4)于氢气及惰性气体气...
一种硅纳米线探针结构的制作方法技术
本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法,包括:首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板,刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口;然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀,使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座;接着在所述金字塔状的探针底座所...
氧化石墨烯量子点的制备方法技术
本发明提供一种氧化石墨烯量子点的制备方法,所述氧化石墨烯量子点的制备方法至少包括:将柠檬酸与浓硫酸混合,并在常压下使得所述柠檬酸和浓硫酸进行反应,形成氧化石墨烯量子点溶液。本发明的氧化石墨烯量子点的制备方法具有工艺简单,原料容易获得,工...
一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法制造技术
本发明涉及一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法,其特征在于包括先在金属衬底和石墨烯的结合体上沉积一层金属,在金属上表面涂一层有机胶体,然后放到腐蚀液中,得到有机胶体、金属层和石墨烯层的结合体,再将三者的结合体转移到目标衬底上并去...
读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器制造技术
本实用新型提供一种读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器。所述传感器包括:双级超导量子干涉组件;与所述双级超导量子干涉组件相连的读出电路;与所述读出电路中的受控积分反馈子电路相连、且与所述第一级超导量子干涉器件互感的第一反馈线圈;与...
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