【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种层数可控石墨烯的生长方法,其特征在于,所述层数可控石墨烯的生长方法至少包括以下步骤:1)提供一Cu衬底,在所述Cu衬底上形成一Ni层;2)采用离子注入法在所述Ni层中注入C;3)对步骤2)形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni?Cu合金,而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出,在所述Ni?Cu合金表面重构形成石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:狄增峰,王刚,丁古巧,张苗,陈达,马骏,陆子同,谢晓明,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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