中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明提供一种可控硅纳米线阵列的制备方法,采用晶向相同的两硅衬底,进行小角度键合形成方形网格状分布的螺旋位错,由于位错引起硅表面应力分布不均,所以利用应力优先刻蚀,对这种网格分布的螺旋位错线所影响的垂向对应的区域进行刻蚀,形成正方形网格...
  • 本发明涉及一种V波段平面电路测试夹具,包括用于放置测试电路的底座、第一波导结构件和第二波导结构件,所述第一波导结构件安装在所述底座上形成输入波导口,所述第二波导结构件安装在所述底座上形成输出波导口,所述输入波导口的方向和输出波导口的方向...
  • 本发明涉及一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器,其特征在于,在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,然后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,具有响应时间快的特点。
  • 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法,采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错,由于位错引起硅表面应力分布不均,利用应力选择性腐蚀,对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀,形成正方形网格状的图形化硅岛,采用电子束外延...
  • 本发明提供一种提升光敏BCB薄膜可靠性的方法,该方法首先提供一衬底,在所述衬底表面涂覆一层粘附剂;而后在所述粘附剂的表面涂覆光敏BCB,并光刻所述光敏BCB直至暴露出衬底,按前述相同手段并根据所需层数制备出至少一层的多个光敏BCB单元,...
  • 制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
    本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through?Silicon?Via,TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺,其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后,通过溅射TiW和Au层,与TSV晶圆进行Au-Au键合。待T...
  • 一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法
    本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法,其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点,将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其...
  • 本发明涉及一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法,其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层;将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底;以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极,形成良好...
  • 本发明提供一种无线传感网的组网方法,主要是利CSMA、TDMA与多信道技术相结合的方式依序完成簇头节点及其全局通信时隙的确定、每一个簇中各个簇成员节点及其簇内通信时隙的确定,减少了每一个簇的形成时间,从而实现快速组网,并保证多个簇可以在...
  • 本发明提供一种应用于视频传感器的基带处理装置,包括数字调制电路和数字解调电路,所述数字调制电路包括:子载波映射模块、IFFT变换模块、加循环器、加窗器、限幅器、以及上采样滤波器;所述数字解调电路包括:下采样滤波器、辅助同步器、去循环器、...
  • 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法,包括,提供晶圆,所述晶圆的正面带有深孔;在所述晶圆的正面形成绝缘层,所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁;在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层;以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层...
  • 本发明提供一种焊点制备方法及其结构,该方法包括以下步骤:步骤一,在硅片(1)正面溅射金属层(2),作为电镀种子层;步骤二,在所述金属层(2)上涂光刻胶(3)并前烘;步骤三,图形化光刻胶并后烘;步骤四,使用图形化光刻胶做掩膜,电镀铜以形成...
  • 本发明提供一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。其中,根据基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法,先将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面;随后再基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述...
  • 本发明提供一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法,通过在绝缘层上形成生长窗口在具有第一晶向的衬底上形成具有第二晶向的全局GOI,然后在具有第二晶向的衬底上形成具有第二晶向的Ge层,以制备出混合晶向绝缘体上锗晶片。在具有(100)晶向...
  • 本发明提供一种适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制作方法,所述单硅片微流量传感器包括一单晶硅基片、二压力传感器和具有出/入通口的微流体沟道,本发明采用单硅片单面体硅微机械加工方法,在单晶硅基片内部制作所述微流体沟道和压力传感器的参...
  • 本发明提供一种适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制备方法,所述单硅片微流量传感器包括一单晶硅基片、二压力传感器和具有出/入通口的微流体沟道,本发明采用单硅片单面体硅微机械加工方法,在单晶硅基片内部制作所述微流体沟道、取压通道和压力...
  • 本实用新型涉及一种汽车电动助力转向系统的方向扭矩传感器,包括输出轴、多极磁环、固定环、输入轴、第一传导体、第二传导体、电路板、第一齿轮和第二齿轮,所述固定环外圈设有外圈齿轮,所述第一齿轮和第二齿轮与所述外圈齿轮相互啮合,所述第一齿轮和第...
  • 本发明涉及一种基于无线传感网节点中间件的分簇路由的方法,其特征在于在现有LEACH协议基础上,提出一种基于节省能量和减少延迟的改进型LEACH路由协议,以有效减小LEACH协议簇形成过程的能量消耗,对数据传输阶段功率采用动态自适应的功率...
  • 本发明公开了一种基于正交多项式的自适应预失真系统及方法,该方法包括如下步骤:正交多项式预失真器对各种输入采用直接正交化的方法,递推求出各阶多项式,获得所需的多项式,对输入的信号进行预失真处理;高功率放大器对接收的信号进行功率放大后,反馈...
  • 本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法,所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤:1)提供一绝缘衬底;2)在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶;3)在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜;4)进行电子束曝光得到所需光刻图形;5)在得到的光...