一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图形化技术，在非金属衬底表面将图形转移到光刻胶上，沉积金属并剥离，得到有图形化金属的衬底，再在留有金属图形的衬底上沉积竖直石墨烯材料，经过酸液腐蚀，去除反应活性较高的金属，以实现薄膜材料的图形化。本发明专利技术提供的图形化技术使用于各种非金属衬底尤其是绝缘衬底上二维晶体材料的器件加工工艺。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）提供一衬底并在该衬底上表面形成第一光刻胶层；2）曝光并显影形成所需的光刻胶图形；3）在该光刻胶图形上沉积易于酸溶液腐蚀的第一金属层；4）将步骤3）之后获得的结构放入丙酮去胶并剥离所述第一光刻胶层上的第一金属层；5）继续旋涂光刻胶，形成第二光刻胶层，曝光并显影形成所需的光刻胶图形；6）接着沉积耐酸溶液腐蚀的第二金属层；7）将步骤6）之后获得的结构再放入丙酮去胶并剥离所述第二光刻胶层上的第二金属层；形成金属图形化衬底；8）在该金属图形化衬底上生长竖直石墨烯；9）将步骤8）之后获得的结构放入酸溶液中腐蚀掉剩余的第一金属层，得到基于竖直石墨烯的场发射电极图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩敏，孙秋娟，谢红，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：