一种相变存储器的编程系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明专利技术提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体存储
，涉及。
技术介绍
相变存储器(PCRAM)是基于Ovshinsky在20世纪60年代末70年代初提出的相 变薄膜可以应用于相变存储介质的构想上建立起来一种新型的阻变式非易失性半导体存 储器，它与目前已有的多种半导体存储技术相比，具有低功耗，非挥发、高密度、抗辐照、非 易失性、高速读取、循环寿命长、器件尺寸可缩性(纳米级)，耐高低温(-55 1至125 °C)、抗 振动、抗电子干扰和制造工艺简单(能和现有的集成电路工艺相匹配)等优点，是目前被工 业界广泛看好的下一代存储器中最有力的竞争者，拥有广阔的市场前景。相变存储器以硫系化合物材料为存储介质，其基本原理是利用电脉冲信号作用于 器件单元上，使相变存储材料在非晶态(材料呈高阻状态)与晶态(材料呈低阻状态)之间发 生可逆相变而实现数据的写入和擦除，数据的读出则通过分辨非晶态时和多晶态时的电阻 状态来实现。相变存储器的读、写、擦操作就是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或者 电流脉冲信号擦操作(RESET)，当加一个短且强的脉冲信号使器件单元中的相变材料温 度升高到融化温度以上后，再经过快速冷却从而实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法至少包括以下步骤：1）设置相变存储器的n个擦操作子使能模块有效，将所述n个擦操作子使能模块所对应的n个擦操作驱动通道分为m组；2）第一组擦操作驱动通道在第一个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第一目标地址进行擦操作；3）第二组擦操作驱动通道在第二个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第二目标地址进行擦操作；4）依次类推，直至完成第m组擦操作驱动通道在第m个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第m目标地址进行擦操作...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李喜，宋志棠，陈一峰，陈后鹏，蔡道林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：