本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空...

本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效...

本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟...

本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份...

本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构非对称的NMOS...

本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满金属互连通孔；然...

本发明提供一种基于电润湿原理提升导电焊料焊接电子封装强度的方法，包括：制作出衬底基板，所述衬底基板上具有焊点结构和导电电极；进行电润湿处理，将所述衬底基板加热至焊料的熔点以上，使得所述焊料呈熔融状态；在所述衬底基板的导电电极上施加电压，...

本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像...

本发明提出一种差分电容微加速度传感器及其制作方法，该方法利用体硅工艺完成可动质量块和弹性梁的制作，通过干法刻蚀完成结构制作的同时也完成器件结构的释放；可动电极与可动质量块具有相同的形状和大小，避免重复光刻，工艺大大简化；设计的弹性梁在敏...

本发明提供一种梯度折射率介质透镜及梯度折射率介质透镜天线。其中，呈半圆柱形的梯度折射率介质透镜的折射率分布满足：，呈半球形的梯度折射率介质透镜的折射率分布满足：。半圆柱形/半球形梯度折射率介质透镜的折射率都是根据变换光学的原理，采用共形...

本发明提供一种锂离子动力蓄电池的电量校正和控制方法。首先，给锂离子电池以标准充电制度充电，周期测量电池的端电压，在测量电压中利用差值电压DELTA-VH确定电池的电量参数，校正电池的电量，利用端电压判断此时电池的循环次数当量、老化程度或...

本发明提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影...

本发明公开了一种分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法。发明人研究发现相变材料的高阻、低阻之间的阻值相差4-5个量级，而利用该相变材料制备的存储单元的高阻态与低阻态的阻值相差2-3个量级。该实验方法通过制备不同尺寸的测试样品，...

本发明提供了一种MEMS三轴加速度传感器及其制造方法。根据本发明的MEMS三轴加速度传感器包括支撑框体、弹性梁、敏感质量块、下支撑体、栅型敏感电容和引线电极；其中，敏感质量块通过弹性梁悬于支撑框体之间，支撑框体通过键合与下支撑体连接，敏...

本发明涉及一种近距离物联网环境中建立路径损耗模型的方法，包括以下步骤：建立近距离物联网环境路径损耗模型的原始测试数据优化采集方案；使用用于估计近距离物联网环境路径损耗特性的新型路径损耗模型建立方案，建立路径损耗模型；使用用于估计近距离物...

本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，其中，所述相变存储材料为掺N富锑Sb-Te相变存储材料，所述富锑Sb-Te相变存储材料的化学通式为SbxTe，x≥0.5。相较于现有技术，所述掺N富锑Sb-Te相变存储材料具有结晶温度高、热稳定性...

本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）...

本发明提供一种利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法，该方法通过将图形化和锗浓缩的方法相结合，获得一种保证产量和质量的SiGe和Ge纳米线的可控生长。本发明可以获得均匀而笔直的Ge或SiGe纳米线阵列，并且通过对氧化时间的控制可以...

本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层...

本发明提供的一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及接地端的相变单元。本发明提供的另一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及第二连接端的第一相变单元，且所述第一连接端及第二连接端都非接地端；以及与所述第一连接端连接以便能与所述相...