本发明公开了一种脉冲太赫兹辐射源输出波束场形的测量装置及方法，该装置包括：脉冲太赫兹辐射源，用以辐射出脉冲太赫兹辐射；安装于一低温恒温器中的太赫兹量子阱探测器，用以探测脉冲太赫兹辐射，并产生相应的脉冲电流信号；二维平移台，用以实现太赫兹...

本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底...

本发明提供一种带有频率自扫描功能的锁相环，应用在传感器及其接口电路中，包括：用以输出一频率两倍于输入信号或参考信号且占空比为50%的方波信号的鉴相器，对方波信号的高、低电平持续时间进行计数的超前滞后计数器，预设有相位锁定模式及频率自扫描...

本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对...

本发明公开了一种应用于无线传感器网络测试中的记录设备及使用方法。无线传感器网络测试中，要快速定位错误发生的位置，存在以下问题：节点资源和能力受限导致定位困难，大规模测试中的人力成本和时间成本等方面的开销太大。本发明提供的测试记录设备用于...

本发明涉及一种具备故障电池隔离功能的电池管理系统和方法，其特征在于所述的管理系统包括健康状态诊断模块、故障电池隔离模块以及分别与这两个模块相连的控制模块。利用电池组中每个电池单体本身具有的独立性特点，通过开关网络隔离故障电池，兼顾了电池...

本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所述P型漂移区中形...

本发明涉及一种脉冲激光器驱动装置，包括驱动供电模块和激光器模块，所述驱动供电模块包括供电电源单元和脉冲产生单元；所述供电电源单元用于为所述激光器模块和脉冲产生单元供电；所述脉冲产生单元用于产生所需脉冲参数的电脉冲；所述激光器模块包括脉冲...

本发明涉及一种低空目标探测传感器网络体系架构，包括双层带状传感器网络和骨干传输层网络；双层带状传感器网络的外层为声音传感节点组成的网络，声音传感节点对感知的声音信息数据进行多节点数据融合、分布式协同数据处理，并根据处理的结果引导内层的光...

本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极，所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体，然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极，最后在铂电极上生长石墨烯，构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法，利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极，...

一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第一沟槽；在第一沟...

本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制...

本发明涉及一种基于中高速传感器网络的开发平台，包括母板和可插拔式子板，所述母板上设有子板接口、通用接口和FPGA芯片；所述可插拔式子板包括电源控制子板、核心主控子板、协处理子板、中高速传输子板、低功耗传输子板、模拟信号调理子板和2G/3...

本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，S...

本发明提供一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法，通过特殊方法将单层石墨烯转移到硅片衬底上制作成石墨烯电极对，并在电极对上制备相变材料，再经制备接触电极和测试电极后完成器件的制作，本发明提出了一种新的电极材料，即石墨烯纳米材料，由于...

本发明涉及非接触式电导法实现PCR过程的实时检测系统和方法，其特征在于所述系统包括基于MEMS集成的PCR微芯片、交流激励电源、电流转电压及放大电路、温度传感电路、加热电路、数模/模数转换接口DAQ及上位的Labview控制中心；所述的...

本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内...

本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si...

本发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1

本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了...