一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法技术

本发明专利技术提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯的制备方法，特别是涉及，属于石墨烯的合成和纳米材料

技术介绍
2004年，英国曼彻斯特大学的物理学教授安德烈·盖姆(Andre Geim)和康斯坦丁·诺沃肖洛夫(Kostya Novoselov)用一种极为简单的微机械剥离的方法(Micromechanical Cleavage)成功地将石墨层剥离，并观测到了自由且稳定存在的单晶层石墨片，这种可以单独存在的_■维有序碳材料被科学家们称为石墨稀。两人也因为在石 墨烯领域的开创性研究而获得2010年的诺贝尔物理学奖。石墨烯中载流子迁移率高达2X 105cm2 · V'其迁移率远远高于半导体行业中大规模应用的硅材料，被认为是未来纳米电子器件中硅的替代者。石墨烯在微电子、新能源、信息技术等领域的应用非常广泛。通常，石墨烯的合成方法主要有两种机械方法和化学方法。机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热SiC的方法；化学方法是化学还原法与化学解理法。微机械分离法缺点是此法是利用摩擦石墨表面获得的薄片来筛选出单层的石墨烯薄片，其尺寸不易控制，无法可靠地制造长度足供应用的石墨薄片样本；取向附生法-晶膜生长，采用这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：狄增峰，王刚，张苗，陈达，丁古巧，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：