【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于器件领域，特别涉及一种悬空型的兰姆波器件。
技术介绍
1、传统的fbar谐振器其核心结构为“上电极-压电薄膜-下电极”构成的三明治结构。传统fbar谐振器均采用极化c面氮化铝(其c轴为厚度方向)作为压电材料，通过上、下电极施加适宜的激励电场形成厚度方向电场，在三明治结构内激发沿厚度方向振动与传输的体波，可充分利用aln沿c轴优良的压电性能。但fbar谐振器需要图案化的底部电极，并需要将底部电极引出与上电极共平面，制备工艺复杂；且谐振器的谐振频率是由压电薄膜的厚度决定，无法由光刻尺寸定义。常见的声表面波谐振器压电材料声速较低，例如钽酸锂、铌酸锂等。
技术实现思路
1、针对现有技术的缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种悬空型的兰姆波器件。
2、本专利技术的一种悬空型的兰姆波器件，所述器件依次包括衬底、压电薄膜、电极；其中所述压电薄膜为悬空的压电薄膜并设于衬底上方；所述电极为叉指电极。
3、优选地，所述衬底为硅、多晶硅、蓝宝石中的一种或几种；所述压电薄膜为非极化a平面的aln，其c轴位于器件平面内，且叉指电极传播方向平行于aln的c轴。
4、优选地，所述电极的金属化率df为20％<df<60％；叉指电极厚度t为50nm<t<150nm。
5、优选地，所述压电薄膜的厚度h与λ为：5％<h/λ<30％；其中λ为电极的周期波长。
6、优选地，所述叉指电极总对数n为30<n
7、优选地，所述器件包括介质层；所述介质层设于悬空的压电薄膜两侧。
8、优选地，所述介质层的宽度d为1um<d<10um。
9、优选地，所述介质层材料包括sio2、sin、al2o3、si3n4中的一种或几种。
10、本专利技术的一种所述悬空型的兰姆波器件的制备方法，包括：
11、(1)衬底上沉积压电薄膜材料，然后在压电薄膜表面形成上电极；
12、(2)形成释放窗口；
13、(3)压电薄膜两侧沉积介质层；
14、(4)器件释放。
15、本专利技术提供一种所述悬空型的兰姆波器件在滤波器、双工器、多工器中的应用。
16、有益效果
17、本专利技术通过使用非极化a平面的氮化铝，氮化铝的c轴位于器件平面，当叉指电极的传播方向平行于氮化铝的c轴时，利用叉指电极形成的水平方向电场便可充分利用氮化铝c轴优良的压电性能，即基于声表面波的电极结构激发s0模式即可达到与传统fbar结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于aln的高声速能够形成高频器件。并通过在悬空的aln两侧沉积介质层，可以有效抑制其他的杂散模式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种悬空型的兰姆波器件，其特征在于，所述器件依次包括衬底、压电薄膜、电极；其中
2.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述衬底为硅、多晶硅、蓝宝石中的一种或几种；所述压电薄膜为非极化a平面的氮化铝(AlN)。
3.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述电极的金属化率DF为20％<DF<60％；电极厚度t为50nm<t<150nm。
4.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述压电薄膜的厚度h与λ为：5％<h/λ<30％；其中λ为电极的周期波长。
5.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述叉指电极总对数N为30<N<150。
6.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述器件包括介质层；所述介质层设于悬空的压电薄膜两侧。
7.根据权利要求6所述器件，其特征在于，所述介质层的宽度d为1um<d<10um。
8.根据权利要求6所述器件，其特征在于，所述介质层材料包括SiO2、SiN、Al2O3、Si3N4中的一种或几种。
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10.一种权利要求1所述悬空型的兰姆波器件在滤波器、双工器、多工器中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种悬空型的兰姆波器件，其特征在于，所述器件依次包括衬底、压电薄膜、电极；其中
2.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述衬底为硅、多晶硅、蓝宝石中的一种或几种；所述压电薄膜为非极化a平面的氮化铝(aln)。
3.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述电极的金属化率df为20％<df<60％；电极厚度t为50nm<t<150nm。
4.根据权利要求1所述器件，其特征在于，所述压电薄膜的厚度h与λ为：5％<h/λ<30％；其中λ为电极的周期波长。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，房晓丽，张师斌，郑鹏程，孙米静，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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