一种SiC-Si混合开关栅极驱动信号调制电路及调制方法技术

本发明专利技术提出一种SiC‑Si混合开关栅极驱动信号调制电路及调制方法。所述电路包括Q<subgt;1</subgt;～Q<subgt;3</subgt;的D触发器，或门Q<subgt;4</subgt;，与非门Q<subgt;5</subgt;和缓冲电路RC<subgt;1</subgt;～RC<subgt;3</subgt;组成的时间延迟单元。该电路可以将单器件的控制信号调制为SiC/Si HyS内SiC MOSFET和Si IGBT的控制信号。本发明专利技术所提出的信号调制电路，结构简单，有效输出SiC MOSFET和Si IGBT的控制信号，且针对最小SiC MOSFET导通模式下的四个时间尺度，仅需要调节对应的RC缓冲电路的参数，即可实现时间尺度的改变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于sic-si混合开关驱动，特别是涉及一种sic-si混合开关栅极驱动信号调制电路及调制方法。

技术介绍

1、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxidesemiconductor field effect transistor,sic mosfet)作为宽禁带器件的代表，相比于发展多年的硅基绝缘栅双极型晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,siigbt)，具备更低的开关时间和更高的热稳定性，有利于电力系统的效率和功率密度提升。但目前受制于生产工艺和器件结构的限制，在大功率场景下，sic mosfet的成本是阻碍其发展的重要原因。将sic mosfet和si igbt并联使用，构成混合开关结构(hybrid switch,hys)，利用sic mosfet的低导通时间的特性，降低si igbt的开关损耗，sic/si hys结构成为一种折中效率和成本的综合解决方案。由于sic mosfet的导通速度比si igbt更快，由此sic mosfet和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC-Si混合开关栅极驱动信号调制电路，其特征在于，所述电路包括Q1～Q3的D触发器，或门Q4，与非门Q5和缓冲电路RC1～RC3组成的时间延迟单元；其中D触发器实现对SiC MOSFET和Si IGBT的信号电平转变控制，RC缓冲电路用以调节输入信号的上升沿斜率，从而控制最小SiC MOSFET导通模式中所对应的四个时间尺度；与非门Q5对SiC MOSFET的两个脉冲信号进行检测，防止脉冲重叠，并重置Si IGBT对应的驱动信号SI。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述Q1的D触发器与缓冲电路RC1组成的时间延迟单元串联后与Q2的D触发器和缓冲电路RC...

【技术特征摘要】

1.一种sic-si混合开关栅极驱动信号调制电路，其特征在于，所述电路包括q1～q3的d触发器，或门q4，与非门q5和缓冲电路rc1～rc3组成的时间延迟单元；其中d触发器实现对sic mosfet和si igbt的信号电平转变控制，rc缓冲电路用以调节输入信号的上升沿斜率，从而控制最小sic mosfet导通模式中所对应的四个时间尺度；与非门q5对sic mosfet的两个脉冲信号进行检测，防止脉冲重叠，并重置si igbt对应的驱动信号si。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述q1的d触发器与缓冲电路rc1组成的时间延迟单元串联后与q2的d触发器和缓冲电路rc2组成的时间延迟单元串联的电路并联；两个时间延迟单元与或门q4相连；或门q4的另一端与缓冲电路rc3组成的时间延迟单元相连，所述缓冲电路rc3组成的时间延迟单元的另一端与q3的d触发器相连，所述q3的d触发器另一端与与非门q5相连。

3.一种基于权利要求1-2任一项所述的sic-si混合开关栅极驱动信号调制电路的调制方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：江海洋，王智超，左峰，姚瑶，刘刚，王鹏，杨铎，王盼宝，徐殿国，
申请(专利权)人：国网黑龙江省电力有限公司，
类型：发明
国别省市：