温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法,该方法通过在一衬底上沉积催化金属层,然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面,控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置,然后对所述衬底进行...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法,该方法通过在一衬底上沉积催化金属层,然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面,控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置,然后对所述衬底进行...