中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法,其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连;实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后,通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排;采取较复杂的版图设计来避免...
  • 本发明涉及一种改进型的湿度传感器的制作方法,其特征在于,在电极板之间涂覆的聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔,空腔底部有由腐蚀方法制作的硅通孔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,同时便于气体通过传...
  • 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法,通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来,且使孤岛从密封环内延伸到密封环外,并通过半导体层与下基板键合,实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所述MEMS器件的...
  • 本发明涉及一种基于滚环扩增比色检测靶核酸或蛋白的方法,该方法主要利用核酸之间的杂交反应以及抗原抗体结合将所要检测的靶核酸或蛋白间接固定于磁珠上,加入滚环成分,通过杂交上的滚环引物进行恒温滚环扩增,最终通过纳米金的颜色反应检测恒温扩增的大...
  • 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器输出激光场形的测量装置及方法,该装置包括激光器部分和激光探测部分;激光器部分包括驱动电源、冷头、安装于冷头内的热沉、安装于热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于冷头上的聚乙烯窗片;激光探测部分包括热像仪。...
  • 本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔,包括:具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底,其中,所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔,所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外,本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微...
  • 本发明提供一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔,包括:具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底,其中,在锗材料层包含光子晶体微腔,所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。此外,本发明还提供了该锗悬臂梁式二维光子晶...
  • 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法,包括以下步骤:通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路,使入射激光进入全息曝光系统;通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度,利用反射镜确定的入...
  • 本发明涉及一种复合电源,其特征在于包括具有相近充放电电压的铅酸蓄电池单体A和锂离子电池单体B,将单体A与单体B先并联;再根据负载要求确定各自的容量,必要时再串联组成复合电源系统。组成复合电源的单体A和单体B的容量比为0.05∶10-10...
  • 本发明提供一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法,该激光器包括单模产生区波导、锥形耦合区波导和表面发射区波导;单模产生区波导和锥形耦合区波导采用一阶光栅结构,表面发射区波导采用二阶光栅结构;单模产生区波导内部产生单模太赫兹种子光,...
  • 本发明提供一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺,所述单模大功率太赫兹量子级联激光器包括位于中心的二维光子晶体波导和环绕二维光子晶体波导分布的一阶光栅波导。本发明所述的单模大功率太赫兹量子级联激光器大大增加了中心区域波导的太赫兹...
  • 本发明涉及一种GPS授时脉冲在中高速传感器网络中的应用方法,包括中高速传感器网络多用户时分复用装置,通过GPS授时脉冲进行全网同步并划分超帧时隙;辅助帧同步信号检测装置,通过GPS授时脉冲进行帧信号预检测,简化帧同步检测算法;自动频率偏...
  • 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度,从而增加天线带宽;槽中填充的材料与传输线的介电材料相同,均为低介电常数的BCB。制作工艺为:首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电...
  • 本发明涉及一种无线传感网模块组合型多功能节点,包括硬件架构和软件架构,硬件架构包括依次连接的传感器、模数转换单元、板级控制器和存储器、无线收发单元;软件架构包括基础软件层用于驱动板级控制器上的各种硬件设备、通讯接口以及传感器接口,并为上...
  • 本发明提供一种大功率太赫兹量子级联的激光器的制备方法。根据本发明的方法,先基于蒙特卡洛模拟法来模拟多个不同参数下的预定结构的有源区的电传输及输出增益特性,以获得优化的一组参数;随后再基于所获得的一组参数来制备包含所述预定结构的有源区的太...
  • 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法,其特征在于在基板或衬底上溅射种子层,光刻形成掩膜,电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层,去除光刻胶及种子层;旋涂光敏介质层,曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形,...
  • 本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构,应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于:在凹槽(2)内填充应力缓冲介...
  • 本发明涉及一种级联编码器及实现方法,其特征在于所述的级联编码器是由编码器和解码器通过交织器连接而成,所述的编码器依次由RS编码器、外交织器、卷积编码器和内交织器连接构成;所述的解码器则依次由内解交织器、卷积解码器、外解交织器和RS译码器...
  • 本发明涉及一种电磁波束控制的方法,包括以下步骤:根据所需控制电磁波的工作频率,确定磁场的大小以及相应的旋磁媒质;根据电磁波要分束的数目和/或偏转方向确定磁畴的几何特征;根据所述磁畴的几何特征,通过磁场控制,在旋磁媒质中构造出磁畴,并控制...
  • 本发明涉及一种应用于无线传感网的符号精确定时的FPGA实现方法,包括以下步骤:对本地序列进行二次量化;接收信号与本地序列进行互相关运算,得到互相关值;通过滑动窗的方式实现功率值的计算;对得到的互相关值进行近似处理,并求出互相关值的模值;...