本发明涉及一种在圆片级射频封装中增强介质层BCB和金属层Au之间粘附性的方法。其特征在于，不需用添加其它粘附材料，只通过工艺参数的选择及优化，增强了BCB和金属层Au的粘附性。其主要步骤为：首先，对介质层BCB进行表面预处理，然后选择及...

本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法，其特征在于通过偏置反转电路，实现偏置反转，从而抑制低频噪声的产生，具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程...

本发明公布了一种基于三端变压器的SQUID前端电路与其调整方法。三端变压器由绕制在同一个磁环上的三组线圈构成，三端变压器原边(1)和(2)用于实现SQUID磁通信号传输和方波偏置波形的补偿，副边主要用于信号输出；通过在SQUID并联支路...

本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制...

本发明涉及一种面向多目标点检测的无线传感网感知拓扑构建方法，其特征在于从多目标点覆盖调度的角度，以基于仿生算法的多目标点感知覆盖调度算法为基础，提供了一种对多目标点监测感知拓扑构建方法，所述的仿生算法以目标点覆盖率为设计前提，网络能耗均...

本发明涉及一种模块化组装式微泵、使用方法及应用，所述的微泵为一种单向、一次性、气压驱动泵，它是由集成微管道网络或微孔结构的脱气PDMS(聚二甲基硅氧烷)块体组成。该微泵利用脱气后PDMS材料对气体的高溶解特性，将脱气的PDMS泵体贴附于...

本发明涉及一种适用于于无线传感器网络中的AGC实现方法，其特征在于整个AGC的实现方法采用直线拟合法和查表法两种，所述的AGC实现方法采用三段调整方法，第一段为最粗调整，判断信号是否过载，调整速度最快，调整精度最低；第二段为较粗调整，将...

本发明涉及一种传感网中实现群体聚集编队的方法，包括下列步骤：每个传感器节点获取自身所在区域的局部节点分布密度信息；在传感器高密度分布区域选取节点，开启中高速工作模式；每个传感器节点向自身有效通信区域内的其它传感器节点发出汇聚信息，将自身...

本发明公开了一种无线传感网的多汇聚节点间负载均衡路由方法，包括以下步骤：步骤一，汇聚节点广播发送用以建立汇聚梯度的RINIT广播命令包；步骤二，接收到所述RINIT广播命令包的传感节点解析RINIT广播命令包的内容，设定或更新传感节点自...

本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成位线间的隔离，最...

本发明公开了一种用于无线传感网的直扩通信伪码捕获方法，该方法包括以下步骤：步骤一，对输入信号和本地伪码进行差分处理，利用FFT的圆周相关特性对差分处理后的输入信号和本地伪码进行并行搜索伪码相位，调整本地伪码相位使之与输入信号伪码同步，完...

本发明公开了一种基于分立器件的射频混合双工器，包括一个混合环和三个功分器；其中，混合环和功分器由分立的电感、电容及电阻组成，混合环与三个功分器的等分端依次串联成环，混合环的差端为该双工器的发射端，与混合环相邻的一个功分器的和端为该双工器...

本发明涉及一种基于对称CAZAC序列的OFDM系统同步方法，包括以下步骤：在时域构造具有四重对称结构的CAZAC序列，使用一组复PN序列与CAZAC序列的第一部分和第三部分进行对应相乘得到同步序列。利用已知PN序列与接收信号的第一部分和...

本发明涉及WSN中的时延受限能耗均衡数据采集树构建方法，包括以下步骤：数据汇聚节点根据网络拓扑信息计算进行对称网络通信的节点对的权值；数据汇聚节点计算网络中所有节点到数据汇聚节点的最短加权路径，所有最短加权路径的集合即构成最小加权能耗生...

本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺寸从几纳米至几百...

本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈...

本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出...

本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电...

本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属...

本发明公开了一种用于载波聚合功控场景下的功率缩减方法，该方法首先是对载波的实际功率进行等比例缩减，如果大于载波的功率限制PCMAX，c，则将载波的实际功率截断为PCMAX，c，并把载波被截断的功率分给其余的载波，表示载波的缩减系数，其中...