本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的...

本发明公开了一种产生音频调制THz波的方法和装置，适用于未来的THz通信应用。该方法采用太赫兹量子级联激光器作为辐射源，对其进行强度调制，将音频信号加载到THz波上。该装置包括：作为辐射源的太赫兹量子级联激光器及其调制电路；所述调制电路...

本发明公开了一种基于太赫兹波的音频无线通信链路实现方法及系统。该音频无线通信链路系统包括发射端和接收端，其发射端包括驱动电路和与之连接的THzQCL，驱动电路采用强度调制，输出叠加有音频信号的驱动电压信号，从而驱动THzQCL辐射相应的...

本发明涉及一种LDPC码校验矩阵构造方法及对应矩阵乘法运算装置，所述方法包括以下步骤：确定构造码字的长度n×L，循环置换子矩阵的大小L，码率R以及校验矩阵的行数m×L，基础矩阵Hb大小为m×n，校验矩阵H大小为mL×nL；确定校验矩阵H...

本发明公开了一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法。该方法首先写出约瑟夫森结中狄拉克方程，并对传播方向的哈密顿量进行离散化；利用Floquet定理，将结中由偏压产生的交流效应展开在非平衡格林函数的形式中；然后利用两端的自能项...

本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨...

一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的...

本发明涉及一种应用于OFDM中的数字自动增益控制快速调整方法，包括以下步骤：(1)利用FIR和IIR相结合的方式计算接收信号的功率；(2)将接收信号功率转化成对应的对数形式p_dB(n)；(3)比较当前信号的功率与信号的理想功率差值，根...

本发明涉及一种基于labview和数据库的传感器网络后端数据处理方法，包括：(1)首先对传感器网络传输过来的原始字符串数据进行分割；(2)将分割后的数据存储在数据库中；(3)将数据直接写入数据库，读取时直接从数据库读取；(4)将读取的数...

本发明公开了一种基于ＯＭＡＰ的传感网多媒体信息处理系统及方法，其特征在于包括ＯＭＡＰ的ＡＲＭ微处理器与ＤＳＰ处理器，其中ＡＲＭ微处理器主要用来整个系统的控制，ＤＳＰ处理器主要用来进行多媒体信息处理，ＡＲＭ微处理器通过共享ＲＡＭ与ＤＳＰ处...

本发明涉及一种用于限幅ＯＦＤＭ系统的信道估计方法，该方法综合运用导频信息和历史信道信息获取当前信道响应，提高了迭代算法的收敛速度。其首先对接收信号进行幅度补偿，然后通过ＬＳ或ＭＭＳＥ算法获得导频处的信道信息，并内插出所有子信道的信道估计...

本发明涉及一种准循环LDPC码校验矩阵的构造方法，准循环LDPC码校验矩阵的构造方法，包括：确定待设计的校验矩阵的基矩阵的行参数J和列参数L；在确定行列参数以后，按行遍历所有列；对于给定的基矩阵的第j行第l列的位置，由汉诺塔数列的定义：...

本发明公开了一种用于太赫兹量子阱探测器的一维金属光栅及其设计方法。该一维金属光栅的周期d等于对应太赫兹量子阱探测器的峰值响应频率在所述太赫兹量子阱探测器的器件材料中的波长λpeak。其设计方法包括如下步骤：1）测量器件在45度角端面入射...

本发明涉及一种用于OFDM基带系统HARQ机制的信号处理方法，当出现一帧数据在信道解码处因纠不了的错误而需要重传时，判断一帧数据的信道解码误码率数量，根据当前的误码率数量确定重传过来的数据和原来的数据采用最大比合并算法或等增益算法进行处...

本发明公开了一种适用于无线传感器网络的信道自适应的多速率调整方法，其特征在于所述的调整方法为混合多速率调整策略，包括快信道调整策略和慢信道策略。通过对发送情况进行统计，处于快变信道策略模式时，若连续若干数据包均以相同速率发送成功，则切换...

本发明涉及一种无线传感网中基于RSSI测距的WLS节点自定位方法，在定位过程中首先对信道衰落因子n通过加权计算获得；然后利用RSSI测距测得未知节点与信标节点的距离；最后通过加权最小二乘估计算法(WLS)估计得到未知节点的坐标。该定位算...

本发明提供一种双晶体管储存器，包括I-MOS管与MOSFET管，所述I-MOS管的栅极连接有字线，所述I-MOS管的漏极连接有第一位线，所述MOSFET管的栅极连接所述I-MOS管的源极，所述MOSFET管的漏极连接有第二位线，所述MO...

本发明涉及一种具有两支撑悬梁六层结构的电阻式气体传感器及制作方法，传感器的结构包括：衬底框架，隔热腔体，加热膜区，过渡区，支撑悬梁，加热电阻丝，供电引线，供电电极，隔离层，叉指电极，探测引线，探测电极，和敏感膜。其结构特征为：位于隔热腔...

本发明涉及一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及制作方法，传感器的结构包括：衬底框架，隔热腔体，加热膜区，过渡区，支撑悬梁，加热电阻丝，供电引线，供电电极，叉指电极，探测引线，探测电极，和敏感膜。其结构特征为：位于隔热腔体上方的...

本发明提供一种用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是一种由铜、锑、碲三种元素组成的材料，其通式为CuxSbyTez，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤y≤85。这种材料可以通过调节材料中三种元素的含量得到不同结晶温度、...