本发明涉及一种宽谱高反射率异形分布式布拉格(IDBR)结构及制作方法，其特征在于所述的IDBR结构通过在n对中心波长为λ2(λ2＝700-1300nm)的常规分布式布拉格(DBR-B)多层膜结构上生长m对中心波长为λ1(λ1＝400-7...

一种基于扰动补偿的环境场下高灵敏度磁测量装置及实现方法，该方法包括：由第二积分器、低通滤波器、第二反馈电阻和反馈线圈构成的第二反馈支路和基于该支路形成的第二磁通锁定环路，实现环境磁场低频扰动补偿。基于该方法构建的超导磁传感器可同时实现对...

本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x，0＜y≤3，0＜x≤35，a=...

本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行...

本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技...

一种数字信号处理开发系统，兼具微处理器和FPGA两种架构，两者可并行或独立工作，处理能力强大，满足用户高速信号处理要求；配置灵活，为微处理器和FPGA提供可靠的配置接口以及多种配置方式；最多提供17路的ADC接口和2路DAC接口，同时还...

本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得...

本发明涉及一种高体积比能量微能源系统及制作方法，其特征在于所述的系统由a)用金刚石钻头在玻璃衬底上打孔，孔为两个相对的空心圆台；b)在玻璃衬底正面和背面溅射Al薄膜，Al膜的厚度填满空洞深度，实现双面Al互联；c)在Al背面依次沉积氮化...

本发明公开了一种太赫兹波段纳秒时间分辨傅立叶变换光谱仪，包括：迈克尔逊干涉仪；位于迈克尔逊干涉仪输入端的样品室；位于迈克尔逊干涉仪输出端的THz量子阱光子探测器；THz源和调制信号模块、锁相放大器以及控制计算机。锁相放大器与THz量子阱...

本发明涉及一种低复杂度高性能的OFDM定时同步算法，所述的OFDM定时同步算法是构造具有更高稳定性的定时度量函数，搜索定时度量函数的最大值，利用该最大值和循环前缀的长度确定一个新的搜索区间，在该区间定义一个检测函数，搜索检测函数的最大值...

本发明涉及一种制作锥形穿硅通孔(Through?Silicon?Via，TSV)所使用的刻蚀方法，其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO2，然后光刻去除图形中的SiO2，露出下面的硅。放入STS刻蚀机中，对硅片正面进行第一步刻蚀，第一步...

本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通过调节氢气比例、...

本发明公开了一种SON结构MOSFET的制备方法，通过在体硅衬底上生长缓冲层，然后利用栅区光刻版，采用与栅区光刻工艺所用光刻胶极性相反的光刻胶进行光刻，使有源区上用于形成栅区的位置露出，再进行氢氦离子注入，去除光刻胶后经退火在栅区位置下...

本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加热电极为侧壁结构...

本发明涉及一种H+敏感的Ta2O5材料EIS结构、制备和pH在线检测方法，其特征在于所述的EIS结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成；其中H+敏感材料层为Ta2O5，绝缘体层为SiO2，半导体层为双面抛光...

本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所...

本发明涉及一种准循环LDPC码的编码方法，包括输入码与稀疏矩阵A相乘得到第一矢量f1，输入码与矩阵C相乘得到第二矢量f2；第一流水寄存器中第一矢量f1与双对角的稀疏矩阵T通过前向置换得到第三矢量f3；f3与矩阵E相乘得到第四矢量f4；第...

本发明用气体传感器检测电池内部气体状态并估算镍氢电池荷电态的方法，提供了一种适用于镍氢电池的新的荷电态估算方法：通过气体传感器检测电池内部气体中的氢分压(或氢气含量)或气体总压力(内压)，再结合静置时间、电池温度、电池的充放电次数等其他...

本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为：(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜；(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴，其通式为ComNi1-mN，式中0＜m＜1；(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉...

本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法，其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计，摒弃了传统热电堆结构笔直的结构设计，将热电偶臂进行了折叠处理，折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固定在硅基体(13...