本发明公开了一种基于物联网技术的食品追溯与可查询终端，它包括探测装置、控制装置、显示装置、数据传输装置四个部分组成，探测装置探测出食品蔬菜的标识码，标识码是在蔬菜食品利用物联网技术在生产培育到运输过程中生成的，并且是唯一的，标识码探测到...

本发明提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明还提出了一种可实现上述方法的太...

本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法，具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构，并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为：首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面，使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜，再将该光刻胶膜转移至已...

本实用新型涉及一种平面多轴向磁通门传感器，包括外壳、电路板和至少2个磁通门探头，所述的各个磁通门探头两两相间45度设置，并固定在所述的外壳的边缘；所述的电路板固定在所述的外壳的底面；所述的电路板上设有依次相连的滤波器、放大器、微处理器和...

本发明提出了一种基于Chip?to?Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chi...

本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干...

本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热...

本发明涉及一种基于MEMS技术的可调FP光学滤波器的制作方法，其特征在于：采用两次光刻制作出所有图形的刻蚀窗口；采用一次等离子体硅刻蚀完成中间FP空气腔体及可动硅反射镜面结构的制作；采用一次硅-硅键合、等离子体干法刻蚀、HF酸腐蚀二氧化...

本发明提供一种电荷泵及其工作方法，包括：包括多个第一受控开关、第二受控开关、及至少两个电荷转移电容的电荷转移电路；连接在所述电荷转移电路输出端的稳压电容；用于根据输入的模式信号输出相应的参考电压的参考电压发生电路；用于比较参考电压与一个...

本发明提供了一种利用可调性光子晶体自准直效应的光束调节器及应用。其特征在于在自准直效应的频率范围内，该器件具有特殊的光束控制原理。利用可调介质参量，例如非线性极化率，和光子能带结构的相互作用，对自准直点附近的色散性质进行调节，能够实现可...

本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射...

本发明涉及一种相变存储材料及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。化学组分为GaxSbySez，其中4

本发明涉及一种四元化合物分子束外延组分控制参数设计的方法，包括：(1)利用标定生长试验获得四元化合物材料组分与束源束流强度的关系式；(2)根据组分与束源束流强度的关系来设计生长所需组分材料的生长参数。本发明为分子束外延生长四元化合物半导...

本发明提供一种沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容。其中，在沉积栅介质的方法中，首先采用O2等离子体及包含氮元素的等离子体对半导体衬底表面进行预处理，以便在所述半导体表面形成含氮的氧化层；接着，采用等离子增强原子层沉积法在...

本实用新型涉及一种可拆卸插片式有源相控阵系统的机械结构，包括第一级输入盖板、前级可拆卸过渡结构、机械外壳、m个插片、后级可拆卸过渡结构和天线面板。前级可拆卸过渡结构由2块打了m×(m+1)个台阶孔的金属板组成；后级可拆卸过渡结构由2块打...

本发明公开了一种相变存储材料及其制备方法，该相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为AlxSb1-x，其中0

本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件，该器件包括SOI衬底和位于所述SOI衬底之上的有源区；所述有源区包括：栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的漂移区；所述漂移区包...

本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成...

本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材...

本发明涉及一种相变材料的干法刻蚀方法，采用离子束干法刻蚀，该方法包括以下步骤：步骤一，在氧化硅衬底上磁控溅射生长相变材料薄膜；步骤二，经过清洗、涂胶、前烘、曝光、显影步骤后，得到刻蚀准备片；步骤三，利用含氟气体与辅助气体，在刻蚀气压为2...