基于碳纳米管的太赫兹振荡方法及太赫兹振荡器技术

本发明专利技术提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明专利技术还提出了一种可实现上述方法的太赫兹振荡器及其制作方法。该碳纳米管太赫兹振荡器由芯片和与之连接的外围电路组成，作为一种新型的固态THz振荡器，具有结构简单、易于集成以及可以室温工作等优点，有望在未来的空间无线通信系统中得到广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太赫兹(THz)振荡器的工作方法、器件结构及其制作方法，特别涉及一种利用碳纳米管产生THz波的方法以及实现该方法的器件结构及其制作方法。本专利技术属于半导体光电器件

技术介绍
碳纳米管是由碳原子组成的一种结构简单的准一维材料，从几何上看，它可以看作是由单层石墨卷曲而成的。自从碳纳米管被发现以来，基于半导体碳纳米管的电子学和光子学特性引起了人们的研究兴趣。这主要是由于半导体型的碳纳米管具有绝缘型和金属型的碳纳米管所不具备的独特电子输运性质。研究发现，半导体碳纳米管的电子输运特性对缺 陷、 杂质以及结构形变等因素具有强烈的依赖作用。目前，理论和实验上出现了许多关于半导体碳纳米管电子学器件及其应用的研究。这些器件包括场效应晶体管^ 电光器件以及利用金属-半导体转换效应工作的电-机械传感器 等。此外，碳纳米管在随机存储和平板显示等方面的应用技术也初步取得了突破。因此，半导体碳纳米管在新型电子学器件和光子学器件等应用领域具有巨大的应用潜力和经济效■、Λfrff. ο最近，直流电场作用下半导体碳纳米管的电子稳态输运特性得到了人们的广泛关注。理论上，蒙特-卡洛模拟方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，其特征在于：在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王长，曹俊诚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31