本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石...

本实用新型涉及一种毫米波全息成像系统前端收发阵列天线与开关的集成结构，包括M个第一射频PCB、第二射频PCB、第一板体、第二板体、封装盖体和开关逻辑控制接口，每个第一射频PCB上集成有N个平面微带缝隙天线和一个第一级开关；第一级开关的输...

本发明公开了一种微波/毫米波矢量调制器传输特性的自动测试系统及方法，该系统包括小信号传输特性测试系统，以及大信号传输特性测试系统；所述大信号传输特性测试系统包括大信号功率压缩特性测试系统和大信号相位压缩特性测试系统；本发明配置灵活，不仅...

本发明公开了一种基于图形化的SOIESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源区包括P阱区和N...

本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，...

一种体硅可调谐光学滤波器由体硅调谐腔，高掺杂的体硅电阻加热器，下悬臂梁、上悬臂梁，表面高掺杂的左悬臂梁、表面高掺杂的右悬臂梁，金属导线、应力平衡金属导线、左引线区域，右引线区域和支撑SOI硅基底11构成。其采用高电阻率的SOI硅片并利用...

本发明涉及一种基于微机电系统(MEMS)制造工艺的微型原子腔气密性封装结构与方法。其特征在于应用MEMS工艺制作的微型原子腔通过支撑结构放置于玻璃或金属密封缓冲腔中，改善微型原子腔的气密性，从而提高基于微型原子腔的器件如微型原子钟等的寿...

本发明涉及一种用于爆炸点定位的声阵传感网系统，包括至少两个声阵传感器节点，所述的声阵传感器节点安放在可能爆炸的容器附近，并组成自组织多跳网络；所述的声阵传感器节点用于获取爆炸点的方位角信息，并将方位角信息发送至监控终端；所述的监控终端根...

本发明涉及一种基于共轭对称序列的OFDM时间同步算法，所述的OFDM时间同步算法是构造具有共轭对称性质的序列，利用所述序列的共轭对称特性，在接收端进行对称相关运算，得到定时度量函数的相关峰值，利用所述相关峰值的位置确定OFDM信号的开始...

本发明公开了一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法，通过建立TCAD工艺仿真程序得到不同沟道长度Lgate的工艺仿真MOS器件结构，在此基础上，根据实际器件的透射电镜TEM测试结果、二次离子质谱SIMS测试结果、CV测试结果、WA...

本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所述成核层，利用水...

本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料为硅-铋-碲的化合物，化学通式为SixBiyTe100-(x+y)，其中，10

本发明涉及一种椭圆光斑光纤准直器，其特征在于所述的椭圆光斑光纤准直器由光纤头11、平面光波导转换器12、准直微透镜13三部分依次耦合构成；其中，平面光波导转换器12通过过渡波导实现波导在宽度或厚度方向上的展宽或压缩，从单模光纤输出的圆形...

本发明涉及一种适用于血管支架用镁合金，其特征在于所述的镁合金质量百分数组成为：Al?0.8-1.2％、Zn为0.8-1.2％、混合稀土RE为0.4-0.8、Mn为0.4-0.7％，余量为镁及不可避免的杂质；混合稀土中组成百分组成为60％...

本发明涉及一种多层堆叠电阻转换存储器结构，具有以下的特征：电阻转换存储器结构包括至少两层电阻转换存储层；每层的电阻转换存储层中含有选通管和对应的电阻转换存储单元，单个选通管选通至少两个电阻转换存储单元；选通管为双极型晶体管、肖特基二极管...

本发明公开了一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法，通过设计制作辅助器件，测量电学特性数据，获取中间数据，在中间数据的基础上提取模型参数，建立浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型，并利用中间数据及辅助器件数据提取模型参...

本发明公开了一种基于碳膜的柔性神经微电极及其制作方法，该方法利用热解图形化光刻胶形成的碳膜作为导电层，结合聚合物包覆形成绝缘层制作柔性神经微电极。相比传统的基于贵金属(如铂、金、铱等)的柔性神经微电极，基于碳膜的柔性神经微电极具有更好的...

本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对光吸收层的带隙进行裁剪设定，在...

本发明涉及一种利用功能化介孔为敏感材料的质量型化学传感器、制造方法及应用，属于微纳传感器领域。本发明的特征是所述的化学传感器使用有机功能化介孔材料为敏感材料、使用质量型换能器为敏感检测的平台。本发明所述的化学传感器利用功能化介孔材料具有...

本发明涉及一种利用生物发光法结合免疫磁珠识别检测特种致病菌的方法及检测用试剂盒。本方法利用免疫磁珠上的单克隆抗体或者多克隆抗体，通过抗原抗体反应捕获菌悬液或者样品中的细菌，然后加入裂解液释放细菌内的三磷酸腺苷(ATP)，最后通过荧光素(...