本发明涉及一种微型电磁式振动能量采集器及其制作方法。所述的电磁式振动能量采集器由中心质量块、外部支撑框架、二根折叠弹性梁、平面螺旋线圈、两块永磁体、上盖板及衬底等组成。所述的电磁式振动能量采集器利用体硅微机械加工技术的方法制作振动结构(...

本发明公开了一种连续激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；光源部分包括冷头、安装于冷头内的热沉、安装于热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于冷头上用以使太赫兹光射出的聚乙烯窗片；光路部分包...

本发明公开了一种具有低ｋ介质绝热材料的相变存储器结构及制备方法，其相变存储单元包括：二极管、加热电极、可逆相变电阻、顶电极等；在加热电极和可逆相变电阻周围包裹有低ｋ介质绝热层；在可逆相变电阻与其周围的低ｋ介质绝热层之间设有防扩散介质层。...

本发明涉及一种直接醇类燃料电池膜电极集合体结构，所述的膜集合体依次包括支撑层、阳极微孔层、阳极催化层、Ｎａｆｉｏｎ膜、阴极催化层、阴极微孔层和阴极支撑层，其特征在于所述的阴极催化层为疏水性且呈梯度分布，即制备的疏水性逐渐变化的双层、三层...

本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的ｎ层材料作为倍增区结构，ｎ为自然数，２≤ｘ≤１０；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的ｎ层...

本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转...

本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：（ａ）使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用ＴＭＡＨ湿法腐蚀形成斜槽；（ｂ）采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；（ｃ）采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间...

本发明公开了一种具有扩展型沟槽的ＤＲＡＭ结构及其制作方法，该结构包括ＮＭＯＳ晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的Ｎ型ＳｉＧｅ层和Ｎ型Ｓｉ层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的Ｎ型ＳｉＧｅ层和...

本发明提供一种Ｓｂ２Ｔｅ３－ＨｆＯ２纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途，其中，所述Ｓｂ２Ｔｅ３－ＨｆＯ２纳米复合相变材料包含：重量百分比为２－３０％的介质材料ＨｆＯ２和重量百分比为７０－９８％的Ｓｂ２Ｔｅ３相变材料，由于Ｓｂ２Ｔｅ...

本发明公开了一种具有扩展型沟槽的ＤＲＡＭ结构及其制作方法，该结构包括ＰＭＯＳ晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的Ｐ型ＳｉＧｅ层和Ｐ型Ｓｉ层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的Ｐ型ＳｉＧｅ层和...

本发明公开了一种基于点割集的无线带状传感网寿命预测方法，该方法首先基于图论中点割集的思路分布式求解无线带状传感网中的点割集，再通过点割集中节点的剩余生存时间估计无线带状传感网的局部网络的寿命，最后通过信令交互预测出无线带状传感网的全网网...

本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法，首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜，然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中，并将两者分别连接到电源的正负两极，以使所述金属化...

本发明提供一种利用变换光学器件远程调控共振腔中电磁波行为的方法，其首先根据待调控的共振腔品质因子Ｑ或共振频率ω需要被调控的范围，确定反射系数或等效腔长的调控范围，再根据预先设定的变换光学器件与待调控共振腔之间的空间位置、及所确定的调控范...

本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构及其制造方法。该ＭＯＳ器件结构，包括Ｓｉ衬底和位于Ｓｉ衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区与Ｓｉ衬底之间，以及漏区与Ｓｉ衬底...

本发明涉及一种链式相变存储器结构,所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效...

本实用新型涉及一种多端式磁通门传感器，是在一个闭合的磁芯上采用一组线圈完成激励、检测及反馈的磁通门传感器。根据需检测方向的数量将磁芯等分成数个扇区，然后在整个磁芯上绕制线圈，绕制时保证线圈在每相邻两个扇区的绕制方向相反，匝数相等，绕制工...

本发明涉及一种微型宽脉冲双波长光感基因刺激装置，包括小规模集成电路、半导体发光器件和开关型驱动电路，所述的小规模集成电路分别与2个大范围独立调节脉冲参数的可调电阻，切换开关和电接口相连，所述的电接口用于监控脉冲波形和参数，所述的切换开关...

本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均...

本发明涉及一种传感器网络信息处理支撑服务标准验证测试方法，采用由服务器端中间件程序向测试激励节点发送测试激励至测试响应节点，并由相关节点反馈测试结果的主动测试方法，本发明中测试节点包括汇聚节点与一般节点，可用于传感器网络协同信息处理标准...

本发明涉及一种智能体域网健康管理系统，包括广域网信息平台、便携式个人终端、至少1个无线生理传感器和至少1个医疗监护和分析终端，所述的至少1个无线生理传感器放置在患者的身上，并与所述的便携式个人终端通过无线通信的方式实现连接；所述的便携式...