本发明涉及一种微机械推拉式可调谐光栅，其特征在于所述的微机械推拉式可调谐光栅包括光栅条阵列、光栅链接梁、光栅支撑梁以及所连接的推驱动器和拉驱动器，其中，光栅条阵列通过光栅链接梁相连后构成光栅本体，再通过光栅支撑梁与推驱动器和拉驱动器相连...

本发明涉及到能使谐振式微悬臂梁传感器重复检测炭疽芽孢的表面修饰方法，特征为，Ｎ，Ｎ－二羧甲基半胱氨酸自组装到微悬臂梁金表面，该分子的三个羧基与镍螯合形成以Ｎｉ为末端的双层分子膜；标记了多肽赖氨酸－组氨酸－组氨酸－组氨酸－组氨酸－组氨酸－...

本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽（ＳＴＩ）隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一ＳＴＩ的底部及部...

本发明涉及一种用于高通量药物筛选的微流控细胞阵列芯片、制备方法及应用。其特征在于所述的芯片从上向下依次为阀控制通道层，流体通道层和适合细胞贴壁生长的玻璃层。该芯片可用于不同浓度药物并行作用多种细胞，进行高通量细胞药物筛选。所述的芯片采用...

本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综...

本发明涉及一种集成微机械热电堆红外探测系统及制作方法，所述的系统包括热电堆探测器和信号处理电路两大部分。其中信号处理电路包括前置放大器，带通滤波器，主放大器和振荡器四部分。特征在于实现了热电堆探测器和信号处理电路的单片集成设计和制作。使...

本发明提出一种基于正交变换处理的广义多载波频分多址传输装置。与现有基于簇的ＤＦＴ扩频正交频分多址和Ｎ×单载波频分多址传输方案相比，本专利所提的传输方案通过变更收发两端的正交变换模式，既能够满足系统覆盖和小区边缘用户的性能，又能提高小区内...

本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极１、顶电极的过渡层２，以及与顶电极的过渡层２和底电极６接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖７深入相变...

本发明涉及长波长（１．３μｍ）ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ量子阱垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）及制作方法，其特征在于有源层为ＩｎＰ基的ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿量子阱。由有效质量模型计算得到ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ量子阱能级，...

本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一...

本发明涉及一种非致冷热电堆红外探测器及制作方法，其特征在于在非致冷热电堆红外探测器中的红外吸收区上制作了一个微型加热器。由于微型加热器的制作工艺与热电堆的制作工艺完全兼容，两者实现了同一芯片集成。利用微型加热器对封装后红外探测器的热传导...

本发明提供的一种低功耗高稳定性的相变存储单元，包括基底层、相变材料区、电极以及将所述相变材料区全部包裹的介质材料包覆层，且所述介质材料包覆层的材料为不与所述相变材料发生反应的材料，相变材料区的相变材料可为纯相变材料，也可为相变材料和介质...

本发明涉及一种传感器敏感层及制备方法，是一种低成本、快速响应的化学氢传感器敏感层。其特征是：通过化学还原法制得的钯合金纳米级钯银，钯镍合金粒子等通过硅烷偶联剂的配合作用，化学吸附在玻璃基体表面。其有益效果是：将合金纳米颗粒制备技术与传感...

本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的Ｐ型半导体区、位于Ｐ型半导体区上的Ｎ型半导体区以及位于Ｎ型半导体区上的栅极区，Ｎ型半导体区、Ｐ型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储...

本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的Ｎ型半导体区、位于Ｎ型半导体区上的Ｐ型半导体区以及位于Ｐ型半导体区上的栅极区，Ｐ型半导体区、Ｎ型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储...

本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为７０～１００℃，时间为１～２０小时；然后将...

本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在...

本发明揭示了一种白光ＬＥＤ芯片，包括构成顺次构成层叠结构的第一类型ＬＥＤ芯片、第二类型ＬＥＤ芯片、及第三类型ＬＥＤ芯片；所述第一类型ＬＥＤ芯片、所述第二类型ＬＥＤ芯片、及所述第三类型ＬＥＤ芯片均包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜。...

本发明揭示了一种相变存储器，所述相变存储器包括数条存储翼ｐｌａｎｅ；所述ｐｌａｎｅ包括ｎ个存储块ｂｌｏｃｋ和ｎ个先入先出堆栈ＦＩＦＯ，每个ｂｌｏｃｋ对应一个ＦＩＦＯ；其中，ｎ为相变存储器并行读写位数；ｐｌａｎｅ与ｐｌａｎｅ之间依靠数据总...

本发明揭示了一种相变存储器的猝发写方法，所述方法包括如下步骤：并行写的每一位配备有一个独立的先入先出堆栈ＦＩＦＯ；相变存储器外部总线以设定的频率将写入数据输入到并行写每一位对应的ＦＩＦＯ中；并行写的每一位从对应的ＦＩＦＯ中读出要写入的数...