本发明目的是提供一种提高锂离子电池储存／搁置性能的方法。特别涉及商品化应用最广泛的ＬｉＣｏＯ２／ＭＣＭＢ体系，其基本特征是利高低温温差效应使ＳＥＩ膜在低温区快速老化成型，从而防止了锂离子电池在随后的储存／搁置时活性锂被ＳＥＩ膜捕获而失去...

本发明涉及一种在微悬臂梁的二氧化硅表面一步制造羧酸功能化自组装单层膜的新方法，属于纳米功能薄膜制造领域。本发明的特征是采用三羟基硅基乙酸钠水溶液（Ｃａｒｂｏｘｙｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅｔｒｉｏｌ，ｓｏｄｉｕｍ？ｓａｌｔ；２５％）或者Ｎ－（...

本发明公开了一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法，其包括：发射端（第一冷头、太赫兹量子级联激光器及第一聚乙烯窗片）、光路部分（两个离轴抛物镜和大气）和接收端（第二冷头、太赫兹量子阱探测器及第二聚乙烯窗片）。本发明的优点在于：...

本发明涉及一种ＭＥＭＳ圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的１．３－１．５倍。所述腐蚀槽的深度为８－１２μｍ。所述的封装方法...

本发明涉及一种ＭＥＭＳ圆片级气密封装的双腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域两侧有两条环状的腐蚀槽。所述的两条环状腐蚀槽内边缘的间距为玻璃浆料密封环宽度的１．０－１．２倍。所述腐蚀槽的深度为３０－４０μｍ。...

本发明公开了一种基于ＴＤＭＡ的用于无线传感网的星型成簇方法，包括以下步骤：簇头根据采样周期和传输时间划分时隙；默认一个ＧＰＳ时间段为时隙申请时段，簇头在该时间段接收各个节点的入网申请并将分配的时隙号回复给申请节点；节点获得ＧＰＳ时间信息...

本发明涉及一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备，在组分渐变缓冲层中插入ｎ层无应变的超晶格隔离层材料，ｎ为自然数，１≤ｎ≤５；其制备过程为：首先确定生长温度、束源炉温度等参数；然后采用分子束外延方法依次在衬底上交替生...

本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计...

本发明涉及一种提高可卡因检测灵敏度的方法，其特征在于用于可卡因检测的核酸适配体被断裂成三段，所述的方法包括如下步骤：（１）将可卡因与三段核酸适配体探针混合，使被测定的可卡因与适配体探针形成复合物；（２）进行荧光检测、电化学检测或颜色检测...

本发明揭示了一种传感器网络物理信号协同压缩感知系统及感知方法，该系统包括物理信号感知节点、物理信号重构节点、时间同步节点；各物理信号感知节点用以对物理信号进行采样，对所获采样信号向量进行随机映射得到随机映射值，同时对采样信号进行统计量计...

本发明公开了一种基于无线传感网的湖泊水文水质监测系统及监测方法，该系统包括无线传感信息采集模块，基站，监控系统；所述无线传感信息采集模块包括分布于湖面的基本采集单元，用以采集湖泊水文水质信息；所述基站用以接收所述无线传感信息采集模块采集...

本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件，进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不要进行读写操作的，并与要操作单元处于同一字线的存储单元，给其位线施...

本发明涉及一种提高锂离子电池正极稳定性的金属膜和制作方法，其特征在于所述的金属膜的金属为在锂离子电池正极工作电位下稳定的纳米尺度的金属，金属膜的金属为Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ和Ｐｄ中的一种或两种，金属膜厚度为１０～５００ｎｍ。同时所述的金...

本发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法，其特征在于所述低温真空封装的结构包括１）一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片；２）一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板；３）包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定...

本发明涉及一种利用缓冲网络调整超导纳米线光探测器响应波形的方法，特征在于利用同轴线三通接头将原始脉冲信号分为两路，一路接缓冲网络，另外一路接检测仪器，所述的缓冲网络由一根一定长度的同轴电缆和一个端接可调电阻组成，通过调整同轴电缆的长度Ｌ...

本发明提供一种制备相变材料的溅射靶材的方法，其首先将已使用过的具有孔隙的相变材料溅射靶材通过抛光工艺去除其表面的氧化物和杂质，再采用去离子水清洗已经过抛光处理的溅射靶材，接着将经过清洗后的溅射靶材放入真空炉中烘干，最后将与所述溅射靶材同...

本发明公开了一种复合相变材料靶材及其制备方法。该复合相变材料靶材由相变材料与另一种材料复合而成，制备时，首先将其中熔点较高的材料制备成圆柱状作为基体，采用刻蚀工艺在此基体上制备出大小形状相同且分布均匀的圆柱状小孔，然后将熔点较低的材料填...

本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性的半导体材料组成...

本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液，对超大规模集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光，可明显降低表面的粗糙度。

本发明涉及一种氧化硅／氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：１）在硅溶胶中加入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；２）将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；３）反应完毕后离心分离、提纯、烘干，...