The invention relates to a large lattice containing superlattice isolation layer mismatch epitaxial material buffer layer structure and its preparation, insertion of N layer superlattice isolated strain free layer material graded buffer layer in group n is a natural number, n = 1 ~ 5; the preparation process is as follows: the growth temperature, beam the cells with parameters such as temperature determined firstly; then by molecular beam epitaxy method sequentially on a substrate of alternate growth should be increased gradually and the buffer layer variables without strain superlattice buffer layer material, until the desired buffer layer should be variable completion of growth. The material of the invention includes a superlattice isolation layer, the large lattice mismatch epitaxial material in the buffer layer effectively and release the stress relaxation occurs, thereby reducing the dislocation density of epitaxial buffer layer; uninterrupted growth and by conventional molecular beam epitaxy material, is easy to control low cost, environmentally friendly, etc..
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备领域，特别是涉及一种包含超 晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备。
技术介绍
随着半导体能带工程的发展和材料外延技术的进步，与衬底晶格失配的异质外延 材料得到了越来越多的重视。在衬底上外延晶格失配材料时，在失配外延层足够薄的情况 下，外延层的晶格常数在因晶格失配而产生的形变能的作用下会与衬底的晶格常数保持一 致，以避免产生位错。然而，当外延厚度超过一定厚度(称为临界厚度)时，晶格失配外延 层的晶格常数将自发恢复到其固有的晶格常数，从而产生失配位错和降低材料质量。临界 厚度的大小与两种材料间的晶格失配度大小有关，一般而言，晶格失配度越大，临界厚度越 小；晶格失配度越小，临界厚度越大。对于与衬底具有较大晶格失配度的异质外延材料，材 料的高质量生长面临着很大的困难，材料生长成为了材料应用于更广泛领域和器件性能进 一步提高的一个瓶颈。例如，截止波长大于1. 7μπι的所谓波长扩展InGaAs探测器在空间 遥感与成像等方面有着重要的应用，通过增加InxGai_xAs中In的组分χ，可以将InxGai_xAs 探测...
【技术保护点】
一种包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构，其特征在于：在组分渐变缓冲层中插入ｎ层无应变超晶格隔离层材料，ｎ为自然数，１≤ｎ≤５。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾溢，张永刚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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