使用高电阻硅化物靶材生长硅化物的工艺制造技术

一种集成电路制造中的硅化物工艺，其特征在于使用高电阻相的硅化物作为ＰＶＤ的靶材，将高电阻硅化物溅射到硅片表面，再通过高温快速热退火形成低电阻的硅化物，以减少衬底硅消耗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造工艺
，具体涉及一种消耗衬底硅更少的硅化物工艺。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小。目前主流工艺0.13μm技术就是指栅极的长度为0.13微米。在线宽不断缩小的同时，为了提高晶体管的性能，源/漏结的深度也在不断减小，在0.13微米工艺下结的深度只有数十纳米。 目前的集成电路制造工艺中都使用硅化物工艺技术来减少源漏区域和多晶电极的电阻。无论是0.35/0.25微米技术的钛硅化物(TiSi2)还是0.18/0.13微米技术的钴硅化物(CoSi2)都用到了两步硅化物形成工艺。在首先PVD淀积形成硅化物所需的金属后，通过第一次较低温度的快速热退火(RTP1)处理淀积的金属形成高电阻的硅化物。然后通过化学溶剂APM(氨水和双氧水混合)/SPM(硫酸和双氧水混合)去除在场氧化层和栅极侧壁边墙(spacer)上残留的或未反应的金属(即多余金属)，并留下产生的硅化物(这一步称为选择性腐蚀)。最后通过第二次较高温度的快速热退火(RTP2)处理以形成低电阻的硅化物。 但是随着结深的不断变浅，如果晶体管源漏区域硅化物的厚度太大，会造成结漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路制造中的钴硅化物工艺，其特征在于使用高电阻相的钴硅化物作为PVD的靶材，将高电阻钴硅化物溅射到硅片表面，再通过高温快速热退火形成低电阻的钴硅化物，以减少衬底硅消耗。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡恒声，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：