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一种集成电路制造中的硅化物工艺，其特征在于使用高电阻相的硅化物作为ＰＶＤ的靶材，将高电阻硅化物溅射到硅片表面，再通过高温快速热退火形成低电阻的硅化物，以减少衬底硅消耗。...
该专利属于上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹(集团)有限公司、上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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