本发明公开了一种具有垂直栅结构的ＳＯＩ？ＣＭＯＳ器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用ＳＴＩ工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括ＮＭＯＳ区和ＰＭＯＳ区；在ＮＭＯＳ区和ＰＭ...

本发明公开了一种具有垂直栅结构的ＳＯＩ?ＣＭＯＳ器件，包括ＳＯＩ衬底，以及生长在ＳＯＩ衬底上的ＮＭＯＳ区和ＰＭＯＳ区，所述ＮＭＯＳ区和ＰＭＯＳ区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与ＮＭＯＳ区和ＰＭＯＳ区位于同一平面上，垂直栅区位于ＮＭＯＳ区...

本发明公开了一种可调节垂直栅ＳＯＩ？ＣＭＯＳ器件沟道电流的叉指型结构，其由多个垂直栅ＳＯＩ？ＣＭＯＳ器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅ＳＯＩ？ＣＭＯＳ器件的ＰＭＯＳ区与ＰＭＯＳ区相邻，ＮＭＯＳ区与ＮＭＯＳ区相邻；所有垂直栅ＳＯＩＣＭＯＳ...

本发明公开了一种基于垂直栅ＳＯＩ？ＣＭＯＳ器件的超结结构及其制作方法，该结构包括ＳＯＩ衬底，以及生长在ＳＯＩ衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有ｐｎ柱区上下排列的漂移区，且漂移区...

本发明涉及一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法，所述的装置由三个以倾斜角固定在蒸镀平台上的承片台构成，使用时首先将解理出腔面的激光器置于承片台上，腔面贴近承片台边缘；然后利用弹簧片固定激光器，激光器的上表面被弹簧片保护；最后将承片台...

本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊...

本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：１．相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；２．可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；３．可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导...

本发明提供一种高量程加速度传感器的横向响应波的跟踪识别方法和使用的系统。其特征在于利用摩擦和碰撞等过程产生的电信号作为跟踪触发信号，同时利用声波在一定结构材料中传播时间是一固定常数进行时域上的尺度分析，可以对加速度传感器横向响应波信号进...

本发明涉及一种大变形预压的基板倒装焊工艺。其特征在于首先在基板上印刷助焊剂，待助焊剂涂覆、芯片与基板对准之后，在芯片端的吸头一侧加上一定的预压力，使得凸点在预压力下发生大变形，更有效地与ＰＣＢ上的Ｃｕ焊盘紧密互连，在随后的回流过程中焊点...

本发明涉及一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法。该方法首先在硅衬底上外延ＳｉＧｅ合金层；然后在ＳｉＧｅ合金层上外延一Ｓｉ层；以１０１７ｃｍ－２量级的剂量进行第一次氧离子注入，然后以１０１５ｃｍ－２量级的剂量进行第二次氧离子...

本发明涉及一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法。该方法首先在硅衬底上外延ＳｉＧｅ合金层；然后在ＳｉＧｅ合金层上外延Ｓｉ薄层；通过两次不同剂量的氧离子注入，使注入的氧离子集中在硅衬底的上部，于硅衬底与ＳｉＧｅ合金层交界处形成氧离...

一种三维光子晶体制备方法，利用二氧化硅或氮化硅作为掩模层，通过氧离子注入方法将掩模层上的所需图形转移到硅衬底材料内，在硅衬底内形成第一层二氧化硅结构，接着再外延单晶硅并平坦化外延层表面，沉积掩模层、光刻刻蚀、氧离子注入并退火等形成第二层...

本发明提供一种确定ＭＯＳＦＥＴ器件ＢＳＩＭ模型参数宽度偏移量Ｗｉｎｔ的方法。首先利用半导体参数测试仪测量至少３个拥有相同沟道长度、不同沟道宽度的ＭＯＳＦＥＴ器件的Ｉｄｓ－Ｖｄｓ输出特性；然后求出漏极电流Ｉｄｓ对漏极电压Ｖｄｓ的二阶导数Ｉ...

本发明公开了一种混合晶向积累型全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形（跑道形），且所述第一沟道采用ｐ型（１１０）Ｓｉ材料...

本发明公开了一种混合晶向反型模式全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形（跑道形），且所述第一沟道采用ｎ型（１１０）Ｓｉ材...

本发明公开了一种混合材料积累型全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形（跑道形），且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为...

本发明公开了一种混合材料反型模式全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形（跑道形），且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道...

本发明公开了一种混合材料积累型圆柱体全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有ｐ沟道的ＰＭＯＳ区域、具有ｎ沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区，其特征在于：所述的ｐ沟道及ｎ沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的ｐ沟道为Ｇｅ材料，所述的ｎ沟道...

本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为ｎ型的Ｇｅ...

本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻...