【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种混合材料的反型模式圆柱体全包 围栅CMOS场效应晶体管。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor)器 件是在将N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)与P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)集 成在同一块硅片上的半导体器件。专利申请号为200610028768. 5的中国专利公开了一种 互补金属氧化物半导体器件。图1为该专利公开的互补金属氧化物半导体器件结构示意 图。如图1所示，半导体衬底上形成有第一区域310a、第二区域310b和隔离区305。所述第 一区域310a和第二区域310b并排分布，栅极340贯穿所述第一区域310a、隔离区305和第 二区域310b。在所述栅极340两侧的第一区域310a、第二区域310b中分别形成源极320、 350和漏极330、360。所述栅极340的材料为金属或全金属硅化物，其宽度为2-200nm，所述 栅极340下面的导电沟道宽度为5-500nm。该专利的有益效果在于在第一区域310a形成 PMOS...
【技术保护点】
一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：底层半导体衬底、具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及一个栅区域，其特征在于：所述第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述第一沟道为ｎ型Ｇｅ材料，所述第二沟道为ｐ型Ｓｉ材料；所述栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在所述ＰＭＯＳ区域与ＮＭＯＳ区域之间，除栅区域以外，设有第一埋层氧化层；在所述ＰＭＯＳ区域与所述底层半导体衬底之间或ＮＭＯＳ区域与所述底层半导体衬底之间，除栅区域以外，设有第二埋层氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，王曦，张苗，陈静，薛忠营，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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