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本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅ＣＭＯＳ场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的ＰＭＯＳ区域、具有第二沟道的ＮＭＯＳ区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为ｎ型的Ｇｅ材料...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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