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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
基于SU-8厚光刻胶的三维圆滑曲面微结构的制作方法技术
本发明公开了一种基于SU-8厚光刻胶的三维圆滑曲面微结构的制作方法,其特征在于所述的方法以聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)压模技术结合未交联SU-8光刻胶的回流特性制作具有圆滑曲面特征的微结构。首先通...
复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法技术
本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法,所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成,该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换;在所述复合相变存储材料内,氮化物和相变材料互相分散,使材料内存在两个...
无线传感网中基于RSSI的定位方法技术
本发明涉及一种无线传感网中基于RSSI的定位方法,首先,无线传感网中的一接收节点接收一发射节点以射频方式发送的射频信号,接着,所述接收节点将接收到的经过多径衰落的射频信号进行解调滤波以便获得相应的基带信号,再对基带信号中的每个码片进行过...
低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法技术
本发明公开了一种低功耗抗疲劳的相变存储单元,包括:下电极,位于下电极之上的介质材料过渡层,位于介质材料过渡层之上的复合相变材料层以及复合相变材料层之上的上电极;介质材料过渡层采用第一介质材料,为Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多...
一种宽带无线通信系统的衰落信道测量模型及实现方法技术方案
本发明公开了一种宽带无线通信系统衰落信道的高精度测量模型及实现方法,该实现方法包括:步骤一,信道测量冲激响应模块通过统计处理测量数据获得宽带无线通信系统的信道冲激响应函数;步骤二,散射分量参数估计模块根据冲激响应函数估计出衰落信道中的散...
一种星载相控阵发射天线的在轨校正装置制造方法及图纸
本发明公开了一种星载相控阵发射天线的在轨校正装置,通过校正控制模块启动在轨校正,触发参考信号发生模块产生校正参考信号,经多通道射频发射前端模块的各通道的射频发射前端对校正参考信号进行处理后输出射频发射信号,而射频反馈模块反馈某个通道的射...
一种基于PCIE协议的多通道数据采集装置制造方法及图纸
本发明公开了一种基于PCIE协议的多通道数据采集装置,通过采用PCIE协议、反馈式增强型锁相环以及乒乓buffer结构,能够有效实现多通道的高速数据采样、各通道之间的时钟同步性以及各通道的数据传输实时性。
一种可在轨重构的星载多波束相控阵天线制造技术
本发明公开了一种可在轨重构的星载多波束相控阵天线,其包括数字波束形成模块,通过改变数字波束形成模块的配置信息,可实现星载多波束相控阵天线所需的波束指标,其中,星载多波束相控阵天线还包括重构控制模块,重构控制模块具有:通信接口单元,其与星...
分布式数字波束形成网络及数字波束形成处理方法技术
本发明公开了一种分布式数字波束形成网络,依据分布式算法以存储器资源取代硬件乘法器资源完成并行的乘累加运算,特别适合存储器资源丰富的硬件体系架构如FPGA等,也可由闪存存储器等配置实现,因此极大降低了硬件资源的需求和硬件设计的难度,以较低...
一种采用双调制方案提高光荧光测试灵敏度的测试系统技术方案
本发明涉及一种采用双调制方案提高光荧光测试灵敏度的测试系统,引入了第二重调制,包括激光器、光路部件、傅立叶变换光谱仪、锁相放大器。光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜,构成测试光路;激光器具有内部调制功能,其激发的调制激光经过反射镜转换方...
一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统技术方案
本发明涉及一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统,包括激光器、光谱测量系统和光路部件,光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜,并构成测试光路。激光器激发的激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦直接照射在被测样品上,被测样品反射的激光通过抛...
相变存储器的数据读出方法及读出电路技术
本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路,当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时,预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作,由此可解决相变...
一种基于PDMS的柔性植入式神经微电极及制作方法技术
本发明公开了一种基于PDMS(聚二甲基硅氧烷)的柔性植入式神经微电极及制作方法,其特征在于所述的电极以具有良好生物相容性和机械弹性的PDMS作为神经微电极的基底材料,通过电镀、PDMS注模和键合工艺,制作形成包含一个电极位点区域、一个连...
相变存储器单元的SPICE模型系统技术方案
本发明提供一种相变存储器单元的SPICE模型系统,其包括:相变电阻模块、温度计算模块、状态存储模块和结晶率计算模块。相变电阻模块主要用于表述相变存储单元的电阻模型,温度计算模块用于计算相变存储单元在电压或电流作用下的温度情况,状态存储模...
化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法技术
本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法,其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成,该SBD具有50ns以下的开关速度,能提供1μA-5m...
宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法技术
本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法,其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能...
亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器技术
本发明涉及亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器,其特征在于亚微米间隙不是通过光刻定义,而是通过氧化多晶硅薄膜来制作,亚微米间隙的大小由多晶硅薄膜上的间隙和氧化工艺在多晶硅薄膜上生长的氧化硅厚度共同决定,并且直接利用氧化硅作为...
利用功能化碳纳米管为敏感材料的微悬臂梁传感器的方法技术
本发明涉及一种利用功能化碳纳米管为敏感材料的微悬臂梁传感器的制造方法,属于微纳传感器领域。特征在于采用多壁碳纳米管为传感器制造原料,经过强酸预处理,使多壁碳纳米管表面形成可功能化修饰的反应活性点。然后依据分子自组装技术,将多壁碳纳米管固...
在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及方法技术
本发明涉及一种在单硅片上单面微加工制作的悬臂梁加速度传感器及制作方法。其特征在于所述加速度计由单硅片通过体微机械单面加工而成,避免了多个芯片键合工艺和不同材料带来的应力。为实现单面加工悬臂梁敏感结构,在结构深刻蚀后利用各向异性腐蚀方法,...
制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法技术
本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材,其特征在于具有第一材料基底,基底上方具有多个凹槽,凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下:在第一材料基底靶材上形成槽结构,填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液,经烧结、冷却和...
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