本发明公开了一种具有线性缓冲层的ＳＯＩ超结ＬＤＭＯＳ制作方法，该方法通过计算缓冲层杂质浓度，制作缓冲层掺杂版图，从而利用离子注入制作出杂质在横向上近似线性分布的缓冲层，然后在制作有缓冲层的ＳＯＩ衬底上外延单晶硅至器件所需厚度，在缓冲层旁...

本发明公开了一种具有多层超结结构的ＬＤＭＯＳ器件，该器件的有源区包括：栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、位于栅区之下的体区、位于体区与漏区之间的多层超结结构；所述多层超结结构包括由下至上依次排列的至少两层超结结构，每层超结结构由横向交替排...

本发明公开了一种具有多层超结结构的ＳＯＩ?ＬＤＭＯＳ器件的制作方法，该方法采用ＳＯＩ衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的ＳＯＩ衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结...

本发明公开了一种ＳＯＩ埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述ＳＯＩ包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可...

本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的ＳＯＩ超结ＬＤＭＯＳ结构的制作工艺，包括以下步骤：步骤一，利用键合工艺制作ＳＯＩ埋氧层下的导电层；所述导电层的详细制作过程为：在第一体硅片上淀积一层阻挡层，再淀积一层电荷引导层，获得第一中间结...

本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的ＳＯＩ超结ＬＤＭＯＳ结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的...

本发明公开了一种改善高阻ＳＯＩ衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻ＳＯＩ衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻ＳＯＩ衬底的上表面原位生长厚度不大于１ｎｍ的Ａｌ２Ｏ３薄膜；步骤三，在所述Ａｌ２...

本发明涉及一类荧光化合物及其在检测痕量甲基苯丙胺中的应用，其特征在于所述的荧光化合物结构通式为：式中Ｒ１、Ｒ２分别为三苯胺，苯，萘，蒽，芘，芴，连二萘，咔唑，苯并噻吩，吩噻嗪基和罗丹明中的一种荧光取代基及其衍生物，Ｒ３为烷基取代基。本发...

本发明涉及一种基于空间相关性的磁场动态补偿系统和方法，该系统基于ＰＩＤ负反馈电子电路及环境磁场波动的空间相关性，利用大、小两套亥姆霍兹线圈架及两个磁通门计，可以实现三轴方向上环境磁场的动态补偿。本发明还公开了三种使用该系统的方法包括：（...

本发明提供一种用于升压电路中的Ｎ阱电位控制电路，其包括：采用ＭＯＳ管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Ｖｉｎ和输出的电压Ｖｏｕｔ的比较电路；分别接入输入电源Ｖｉｎ和电压Ｖｏｕｔ且输出互连以便与升压电路中的Ｎ阱连接的输入电源选择...

本发明介绍了一种在ＳＯＩ材料上制备多层高介电常数材料栅结构的方法。首先通过Ｏ２等离子体对ＳＯＩ表面进行预处理，同时ＳＯＩ衬底表面将形成一层超薄的ＳｉＯ２界面层，接着在这层超薄的ＳｉＯ２上利用原子层沉积（ＡＬＤ）方式生长一层超薄的Ｓｉ３Ｎ...

本发明介绍了一种基于ＳＯＩ衬底生长的可进行高温处理的高介电常数材料栅结构及其制备方法。该栅结构的制备与现有ＣＭＯＳ工艺中高温处理步骤相兼容。首先通过Ｏ２等离子体对ＳＯＩ表面进行预处理，同时ＳＯＩ衬底表面将形成一层超薄的ＳｉＯ２界面层，接...

本发明公开了一种具有体接触结构的ＰＤ?ＳＯＩ器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、Ｎ型源区、Ｎ型漏区、体接触区以及硅化物；所述Ｎ型源区和Ｎ型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述Ｎ型源区并排，所述硅...

本发明公开了一种具有ＢＴＳ结构的ＳＯＩＭＯＳ器件及其制作方法。该ＳＯＩＭＯＳ器件的源区包括：两个重掺杂Ｎ型区、位于两个重掺杂Ｎ型区之间的重掺杂Ｐ型区、位于两个重掺杂Ｎ型区和重掺杂Ｐ型区之上的硅化物、以及与该硅化物相连的浅Ｎ型区；该重掺杂...

本发明提供一种高效电荷泵及其工作方法，包括：用于产生非交叠第一时钟信号和第二时钟信号的时钟发生器；电荷转移电容；包括分别连接在所述电荷转移电容的上极板和下极板的第一受控开关和第二受控开关的充电电路；包括分别连接在所述电荷转移电容上极板和...

本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将ＳＯＩ的顶层硅热氧化减薄至１０－３０ｎｍ，然后在超薄的顶层硅上外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合适的能量，使离子注入到埋氧和衬底硅的...

本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：ａ）提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；ｂ）在步骤ａ所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；ｃ）接着...

本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在ＳＯＩ上面外延一层ＳｉＧｅ层，然后将ＳＯＩ材料淘空，通过应力转移法，将ＳｉＧｅ的应力转移到ＳＯＩ材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度...

本发明涉及一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法，其特征在于在选定的半导体衬底材料上外延生长一层半导体材料，该外延生长的半导体材料厚度在临界厚度以内，且使晶体处于完全应变状态，接着进行氧离子注入，使氧离子主要分布在半导体衬底材料中，最后进行...

本发明涉及一种ＳＱＵＩＤ平面三轴磁强计串扰定量标定及消除方法，其特征在于平面三轴磁强计的串扰存在于反馈线圈与相邻ＳＱＵＩＤ之间，测试反馈线圈与ＳＱＵＩＤ间的互感可对串扰进行定量标定，在此基础上消除串扰。本方法包括以下步骤：（１）ＳＱＵＩ...