具有多层超结结构的ＳＯＩ　ＬＤＭＯＳ器件制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有多层超结结构的ＳＯＩ?ＬＤＭＯＳ器件的制作方法，该方法采用ＳＯＩ衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的ＳＯＩ衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，且使上下层超结结构的ｎ型柱区和ｐ型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构，且上下两层超结结构的ｐ／ｎ型柱区交错排布，能够进一步提高ｐ／ｎ型柱区间的接触面积，且不会带来显著的副作用，保证器件的抗击穿能力比传统的超结ＬＤＭＯＳ更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Lateral Double-diffused M0SFET)器件结构的制作方法，尤其是一种具有多层超结结构的SOI LDMOS器件的制作方法，属于半导体制造

技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Lateral Double-diffused M0SFET)是 高压集成电路 HVIC(High Voltage Integrated Circuit)和功率集成电路 PIC(Power Integrated Circuit)的关键技术。其主要特征在于沟道区和漏区之间加入一段相对较长 的轻掺杂漂移区，该漂移区掺杂类型与漏端一致，通过加入漂移区，可以起到分担击穿电压 的作用。所谓超结LDM0S，是一种改进型LDM0S，即传统LDMOST的低掺杂N型漂移区被一 组交替排布的η型柱区和ρ型柱区所取代。理论上，由于ρ/η柱区之间的电荷补偿，超结 LDMOS可以获得很高的击穿电压，而高掺杂的N型柱区则可以获得很低的导通电阻，因此超 结器件可以在击穿电压和导通电阻之间取得一个很好的平衡。超结LDMOS器件，其实质是在漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多层超结结构的Ｓ０ＩＬＤＭＯＳ器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（Ａ）采用ＳＯＩ衬底，对其顶层硅进行离子注入，形成交替排列的ｎ型柱区和ｐ型柱区，作为第一层超结结构；（Ｂ）在形成有至少一层超结结构的ＳＯＩ衬底上外延生长单晶硅，制备外延层；然后，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件在外延层制作另一层超结结构，且使该另一层超结结构的ｎ型柱区和ｐ型柱区分别与其下的超结结构的ｐ型柱区和ｎ型柱区位置相对应，从而使上下层超结结构的ｎ型柱区和ｐ型柱区交错排列，得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构；（Ｃ）利用浅沟槽隔离技术制作沟槽隔离结构，将包含了多层超结结构的部分硅材料隔离出来；（Ｄ）利用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程新红，何大伟，王中健，徐大伟，宋朝瑞，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]