本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于３ｎｍ，并且小于等于ｄ，ｄ为擦操作时在所述相变材料层底...

本发明涉及一种用于毫米波全息成像安检系统的射频收发前端，包括毫米波压控振荡器、毫米波低噪声放大器和毫米波正交混频器，毫米波压控振荡器与毫米波正交混频器相连；毫米波低噪声放大器与毫米波正交混频器相连；毫米波压控振荡器用于产生向目标发射的毫...

本发明涉及对称组合弹性梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称直梁、两个对称框架梁、八根对称Ｌ梁连接在一起形成的组合弹性梁结构以及上、下盖板组成。...

本发明涉及一种体硅微机械谐振器及制作方法，其特征在于所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的，衬底硅片的正面与结构硅片的背面，结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一起；制作时先将悬浮结构——谐振振子正...

本发明涉及一种基于单晶硅衬底的宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构及其制作方法，其特征在于借助仿生学原理，采用类蛾眼微纳结构作为减反层，增加光能捕获；微纳结构是采用拉膜（ＬＭ）法形成密集单层硅或硅化物颗粒网络，作为掩模形成的；采用干法刻蚀...

本发明提供一种用于相变存储器的富锑Ｓｉ－Ｓｂ－Ｔｅ硫族化合物相变材料，属微电子技术领域，其保持Ｓｉ与Ｔｅ原子比为１比３，组分通式为ＳｉａＳｂ（１００－４ａ）Ｔｅ３ａ，其中１０≤ａ≤２０，与现有的Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５相变材料相比，其具有较高...

本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于４００℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶...

本发明公开了一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法，该系统包括逻辑控制电路，以及分别与逻辑控制电路相连的编程脉冲上升沿控制器、编程脉冲保持时间控制器、编程脉冲下降沿控制器、编程脉冲发生电路；所述逻辑控制电路用以控制编程过程中编程脉冲电流的...

本发明的具有冗余存储单元的相变随机存储器系统至少包括：主相变存储阵列、副相变存储阵列、替换信息存储单元、主副存储阵列切换单元、主译码器、副译码器、及读写单元，当主相变存储阵列中的部分存储单元失效时，副相变存储阵列以可选择的方式替换主相变...

本发明涉及一种无线传感器网络水质监控系统，包括控制系统、传感器系统、电源系统、传输系统和架设系统，所述的控制系统分别与所述的传感器系统、电源系统和传输系统相连；所述的控制系统用于控制整个系统的运行；所述的电源系统还分别与传感器系统和传输...

本发明涉及一种用于湖泊水质监测的存储转发节点，包括第一接口组、第二接口组、存储单元、电源模块、时钟单元和控制单元，所述的控制单元分别与第一接口组、第二接口组、存储单元、电源模块和时钟单元相连，用于支配和控制整个存储转发节点运行；所述的电...

本发明涉及一种用于野外信息采集的中程无线传感网组网方法，包括以下步骤：网络预先将每个采样周期划分为多个待分配的时隙；汇聚节点在入网申请时隙监听其他节点发来的入网请求，若收到该信息就会给发来请求的节点临时分配一个通信时隙并回复；汇聚节点在...

本发明涉及一种基于水质监测的无线传感器网络控制装置，包括微控单元、滤波降噪单元、信号放大单元、模数转换单元、电源接口控制单元、电源接口监测单元、时钟单元和数据接口单元。本发明的微控单元获得当前的实时时间信息，根据时间信息判断是否进行采样...

本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在Ｐ型半导体衬底上形成重掺杂的Ｎ型半导体，在重掺杂的Ｎ型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位线方向隔离沟槽，...

本发明提供一种纳米复合相变材料，就是在相变材料中掺入Ｓｉ元素，使具有可逆相变能力的相变材料被非晶的Ｓｉ元素均匀隔离成纳米尺度的区域，从而形成二元的纳米复合结构。此外本发明还提供一种纳米复合相变材料和一种优选纳米复合相变材料作为相变存储器...

本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：１）模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；２）在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底...

本发明涉及一种采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物ＢＣＢ低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作ＴＳＶ封装（Ｔｈｒｏｕｇｈ?Ｓｉｌｉｃｏｎ?Ｖｉａ，穿硅通孔）的方法，所述的ＴＳＶ封装的制作工艺步骤是...

本发明涉及封装制作晶圆ＴＳＶ过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的ＢＣＢ的表面积的１．２－１．３倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的ＢＣＢ厚度，ＢＣＢ是涂覆在裸支撑晶圆上。...

本发明涉及一种纳米复合探针及其在基因芯片膜转印的检测方法，其特征在于所述的纳米复合探针为三条探针共同标记的纳米颗粒，其中所述的三种探针分别为检测探针ＤＰ２和两种长短不同的信号探针ＳＰ１和ＳＰ２，三种探针的长度ＤＰ２≥ＳＰ１＞ＳＰ２，且Ｓ...

本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形...