本发明提供制备ＳＯＩ基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法，其特征在于采用硅微机械加工技术实现，所涉及的初始加工材料为ＳＯＩ材料，利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性，采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到在水平和垂直方向...

本发明提出了一种高精度无线信道参数化模型的联合估计方法，其主要组成包括以下步骤：反射径分量参数估计、漫散射径分量参数估计、反射信号分量重建、漫散射信号分量重建。反射径分量参数估计的输出，通过反射信号分量重建，负反馈到漫散射径分量参数估计...

本发明涉及一种微小型燃料电池用的氢发生器，特征在于所述的氢发生器是由储存室基体和上盖两部分组成。其中储存室基体中有氢气反应储存腔，储存腔位于储存室基体中央，储存腔用于存放固体氢化物燃料，上盖中有液体进样口和氢气出口，液体进样口通过液体微...

本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯ＢＣＢ等作为介质层，以光刻、电镀、机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属／有机聚合物的多层互连结构，并可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线...

本发明提供一种以硅片为基板的埋置微波多芯片多层互连封装结构及制作方法。其特征在于利用低成本的硅片作为芯片埋置基板，以引线键合植球技术制备金凸点，实现微波芯片间的短距离互连，以低介电常数的液态或胶状聚合物作为介质层，通过光刻、电镀、化学机...

本发明涉及一种ＧＳＭＢＥ制备Ⅲ－Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在ＧＳＭＢＥ系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到Ａｓ↓［２］用作Ａｓ源，调节气源炉ＡｓＨ↓［３］压力Ｐ↓［Ｖ］为４５０～７００Ｔｏｒｒ，并控制各分子束流强度；...

本发明涉及一种ＳｉＳｂ基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：０．２－３０ｗｔ％含氧化物抛光颗粒、０．０１－５ｗｔ％氧化剂、０．０１－４ｗｔ％表面活性剂、０．０１－３ｗｔ％有机添加剂，其余为ｐＨ调节剂和水性介质。利用本发明的化学机械抛...

本发明涉及了一种自动化、高通量的微流体反应器、使用方法及其应用，所述的微流体反应器为基于表面亲水性材料和表面疏水性材料构建的复合式微流控芯片，其中包含多组辐射状排列的微管道和微腔；该微流体反应器通过毛细作用力实现微量液相样品在微管道中的...

本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得...

本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存...

本发明公开了一种ＰＤＭＳ微流控芯片中通孔结构的制作方法，其特征在于利用磁性力的辅助，将微柱或微管固定于芯片模具上拟制作通孔结构的位置，然后通过整体浇注ＰＤＭＳ预聚物，并固化键合，制作出具有高深宽比通孔结构的ＰＤＭＳ微流控芯片。本发明提供...

本发明涉及一种开发和筛选相变存储材料的方法，包括下列步骤：（１）在单一的基底上制备出至少２个成份的相变材料组份；（２）采用激光对数据进行处理、编程和数据读取，从而获得基底上的各种组份相变材料的性能；（３）通过得到的各种相变材料组份性能的...

本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率。

本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接...

本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为（Ｓｂ↓［２］Ｓｅ↓［３］）↓［１００－ｘ］Ｙ↓［ｘ］，其中ｘ是指元素的原子百分比，且满足：０＜ｘ≤２０，Ｙ代表掺杂的元素，包括Ｎ...

本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物（简称阻变材料）组成叠层存储单元结构实现多态存储。相变材料在电脉冲作用下可以发生非晶（高阻）、多晶（低阻）可逆转变，阻变材料在电脉冲作...

本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质（由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如ＷＯ↓［ｘ］塞形成的堆栈结构）、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相...

本发明涉及一种可调谐超晶格振荡器的实现方法，其特征在于（１）利用外加磁场和电场调控超晶格振荡器中电流振荡模式和振荡频率，所述的超晶格振荡器是基于载流子的共振隧穿机制的弱耦合超晶格；（２）所述的外加磁场的方向垂直于超晶格的方向，所述的电场...

本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于１００纳米，而中间部分的电极间隙在１－２微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成ＭＩＳ电容结构。当阶梯形电极与...

本发明涉及一种柱状相变材料纳米阵列及其制备方法，可在亚微米ＣＭＯＳ标准工艺曝光技术基础上，通过利用反应离子刻蚀技术刻蚀修整光刻胶的方法，制备出柱状结构直径为５０ｎｍ左右的柱状相变材料纳米阵列。本发明不仅避免了直接使用１００ｎｍ以下曝光技...