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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种硼氢化锂-多孔碳水解发生氢气的方法与反应系统技术方案
本发明涉及一种硼氢化锂-多孔碳水解发生氢气的方法与反应系统,属于燃料电池氢源的制氢储氢技术。其特征是:通过机械球磨LiBH4和多孔碳材料制备水解材料,控制与水解材料反应的液态水的进水速率和水蒸气的饱和蒸汽压从而对反应的放氢量、放氢速度等...
形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构技术
本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓;刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层,使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图...
一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及制作方法技术
本发明涉及一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及其制作方法,其特征在于所提供的微型加热器具有特殊形状的网孔按照一定的规则排布形成具有网孔结构的加热膜,加热膜通过支撑悬梁与衬底框架相连,加热电阻丝以折线形式排布在加热膜上并通过支撑悬梁...
一种长寿命铅酸蓄电池系统和使用方法技术方案
本发明提供了一种长寿命铅酸蓄电池系统和使用方法。所述的长寿命铅酸蓄电池系统包括铅酸蓄电池组A和具有准电容特性的高功率电池组B。根据外接负载所需的工作电压和电流,将不同数量或特性的A与B通过一定的电路(含控制)组成长寿命铅酸蓄电池系统。本...
用于毫米波阵列成像系统的集成高灵敏度毫米波接收机技术方案
本发明提供的用于毫米波阵列成像系统的集成高灵敏度毫米波接收机,其包括:具有孔体的板体;固定在所述板体一侧的集成型射频电路,其又包括:用于接收毫米波的平面微带缝隙天线、用于将接入的毫米波放大的低噪声放大器、和将放大后的毫米波转换为与功率成...
相变存储器芯片版图结构制造技术
本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构,所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区;第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央;第一版图区与第二版图区...
用于安检的毫米波成像系统及其成像方法技术方案
本发明揭示了一种用于安检的毫米波成像系统及其成像方法,所述系统包括毫米波MMIC接收机阵列、抛物面天线、二维机械扫描转台和信号处理单元;所述毫米波MMIC接收机阵列与信号处理单元相连接,所述毫米波MMIC接收机的馈源天线置于抛物面天线的...
用于室内毫米波成像安检系统的辅助源照射装置制造方法及图纸
本发明揭示了一种用于室内毫米波成像安检系统的辅助源照射装置,所述装置包括多个毫米波辅助源、毫米波离散体、成像背景墙。多个毫米波辅助源用于产生多入射角度的宽带、低功率可调、宽波束角的毫米波辐射;毫米波离散体用于将各个毫米波辅助源发射的毫米...
相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法技术
本发明涉及相变存储单元结构,该结构包括一对共面的、分开的电极;以及所述共面的电极之间的相变材料层,该相变材料层两端分别与电极接触,形成接触部,所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构,外围电路全...
氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用制造技术
本发明属于微电子加工中的化学机械抛光浆液领域,具体涉及氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用。本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒包含氧化硅和氧化铈,且所述复合磨料颗粒的内核为球形氧化硅内核,外壳为氧化铈包覆层。由本发明的氧化硅...
纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途技术
本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途,其中,所述纳米复合相变材料包含:重量百分比为8-36%的Ta2O5、和重量百分比为64-92%的相变材料,由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合,Ta2O5的存在一...
一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法技术
本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法,该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介...
一种抑制SOI浮体效应的MOS结构及其制作方法技术
本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构,其包括:衬底、位于衬底之上的埋层绝缘层、位于埋层绝缘层之上的有源区;所述有源区包括体区、分别位于体区两端的第一导电类型源区和第一导电类型漏区;在体区之上设有栅区,其中,所述有源区还包括位于...
大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法技术
本发明公开了一种大角度离子注入抑制SOI?MOS器件浮体效应的方法,其特征在于:对具有埋层绝缘层的NMOS结构以倾斜的方式进行离子注入,使所述NMOS结构的源区下部,所述埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂的P型区,进行所述离子注入时以垂直于...
一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法技术方案
本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法,该方法包括以下步骤:步骤一,根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型;步骤二,对相变存储器单元进行Set操作,获取Set操作的电压-...
一种协作多点传输场景下的隐式信道反馈方法技术
本发明提供了在下行协作多点传输CoMP场景中,针对隐式反馈机制,根据测量集中小区配置,将测量集中每个小区的信道质量指示CQI值或信噪比SNR值反馈给基站。采用本发明的技术方案,可以保证反馈量不大的基础上,比较充分且灵活的为基站提供CoM...
一种野外应急可再生能源管理系统及其实施方法技术方案
本发明涉及一种基于可再生燃料电池的野外应急可再生能源管理系统及其实施方法,由太阳能电池、燃料电池、蓄电池、储氢瓶、水罐、逆变器、负载、可编程逻辑能源控制单元和无线收发模块等单元互相连接组成。通过可编程逻辑能源控制中心的智能化管理,实现太...
一类席夫碱化合物及其检测苯胺类化合物的方法技术
本发明涉及一类席夫碱化合物及其检测苯胺类化合物的方法,属于化学传感器材料技术领域。所述的席夫碱类化合物,其结构特征在于它是由具有邻位羟基的芳香醛类化合物与单胺或者多胺反应所制得的,其结构通式如附图所示。其中n↓[1]为1-100的整数,...
导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元制造技术
本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元,该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之间的导电氧化物过渡层,其厚度控制在2~10nm。所述导电氧化物过渡层具有良好的热稳定性;与介质材料、硫系化合物、W电极都有良好...
一种柔性器件的互连方法及所用的柔性连接器技术
本发明涉及一种柔性器件的互连方法及所用的柔性连结器。其特征在于柔性器件的互连方法包括步骤:a)按照柔性器件的尺寸制作具有通孔特征焊接位点的柔性连接器;b)将柔性连接器的通孔焊接位点与待连接柔性器件的焊接位点对准并贴合,于焊接位点处点涂导...
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