本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用ＣＶＤ技术在衬底上依次沉积ＳｉＯ↓［２］／Ｓ↓［３］Ｎ↓［４］／ＳｉＯ↓［２］介质层，接着使用亚微米ＣＭＯＳ标准工艺曝光技术在顶层ＳｉＯ↓［２］上制备出直径为１５０～３００ｎｍ的孔洞。...

本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为１００ｎｍ～３００ｎｍ的ＴｉＮ薄膜，利用亚微米ＣＭＯＳ标准工艺曝光技术在ＴｉＮ薄膜上形成直径为２００ｎｍ～３００ｎｍ的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中Ｏ↓［２］气...

本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟...

本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属（铝、钛钨金等）和Ｐ型多...

本发明涉及一种增加变形梁强度和使用寿命的结构及其应用，属于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）领域。其特征在于在梁与支撑端的连接处增加转角，使梁与支撑端的夹角都是钝角。这种支撑端连接处带有转角的梁，在梁发生形变时可以有效地减小形变在支撑端产生的应...

本发明涉及具有深亚微米孔结构的数字微液滴驱动器结构及方法，其特征在于所述的数字液滴驱动器包括双极板和单极板两种结构：所述的双极板的结构的下层极板由绝缘衬底、驱动电极阵列、介质层、深亚微米孔结构和疏水膜层构成，上层极板包括绝缘基板、参考电...

本发明涉及一种对苯胺类化合物有传感功能的荧光传感材料、方法及应用。其特征在于芳基与吡啶基相连形成荧光传感材料，所述的荧光传感材料包括线型、星型或树枝状芳基吡啶，吡啶单元的个数为从１－１５０的正整数。制备步骤包括合成芳基硼酸或硼酯化合物和...

本发明涉及一种大角度扭转镜面驱动器及其在光开关中的应用。其特征在于所述的大角度扭转微镜面驱动器由扭转梁（１）、扭转梁（２）、微镜面（３）、倾斜下电极（４），倾斜面（５）、倾斜面（６）、硅基底材料（７）构成；其中，扭转梁（１）和扭转梁（２...

本发明涉及一种大角度扭转镜面驱动器的制作方法，其特征在于①首先在斜晶向硅片（１）上利用氢氧化钾腐蚀溶液制作出具有一定倾斜角度的倾斜硅表面（２）和倾斜硅表面（３）；②然后在倾斜硅表面（２）上制作驱动器的下电极；③接着在另一块硅片的表面制作...

一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的...

一种精密匹配的镜像电流源电路，其包括：用于提供电流源的电流源电路、与所述电流源电路相连接且用于将所述电流源转换为镜像电流的ＭＯＳ管镜像电路、匹配电路、及用于消除失调电压的控制单元。其中，所述匹配电路又包括：正负输入端分别与所述ＭＯＳ管镜...

本发明涉及一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法，包括：在底电极材料衬底上沉积一层金属薄膜；利用亚微米ＣＭＯＳ标准工艺曝光技术，制备出光刻胶图形；利用反应离子刻蚀技术中Ｏ↓［２］气体，对光刻胶的形貌进行修整，将光刻胶直径调整到５０ｎ...

本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为０．０１～２０∶７０～９９．９∶０．０１～１５；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金...

本发明是一种纳米金生物复合探针、检测方法及其应用，其特征在于首先用待测蛋白质的单克隆抗体标记磁珠，再在纳米金上标记待测蛋白的多克隆抗体的同时还标记一种带有生物素标记的ＤＮＡ探针，纳米金上的ＤＮＡ探针再通过生物素－链霉亲和素反应，使镧系元...

高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用，其特征在于以高透光基体上的导光材料微纳结构阵列作为检测用荧光共轭聚合物的支撑结构。首先在石英等高透光材料基体上制备导光材料的微纳结构阵列及二次结构阵列，然后将对特定被分析物有传感性能的荧光共轭...

本发明涉及提供一种压阻加速度传感器的模态共振频率的测试方法。其特征在于在保持压阻加速度传感器原有全桥电路连接结构的基础上，利用金属碰撞冲击产生丰富的频谱作为激励源，通过适当的外接电路，采用半桥输出的形式，以获得加速度传感器模态的共振频率...

本发明涉及一种中高量程加速度传感器动态灵敏度的肩并肩式测试方法，其特征在于将已知灵敏度的高量程加速度传感器作为参考加速度传感器，同被测试的灵敏度未知的加速度传感器安装在同一金属杆两侧，金属杆自由下落碰撞金属砧产生高幅值的脉冲波，金属砧表...

本发明涉及一种热光型红外探测器及制作方法，其特征在于所述的红外探测器由硅衬底，制作于硅衬底之上的像素阵列，以及和硅衬底相键合的玻璃构成，或者由硅衬底，制作于硅衬底之上的像素阵列，与硅衬底相键合的玻璃以及和硅衬底相粘接的红外滤光片构成。在...

本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在ＣＭＯＳ硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属－绝缘层－金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为ＭＩＭ电...

本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具有较好的介电和绝...