本发明提供的电阻变化显著的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩成第二锥状的相变...

本发明揭示了一种用于相变存储器的Ｍ－Ｓｂ－Ｓｅ相变薄膜材料，其组分为（Ｓｂ↓［ｘ］Ｓｅ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｍ↓［ｙ］，ｙ为０．２％－１５％原子比，ｘ为５０％－９５％原子比，掺杂元素Ｍ为钨元素、铝元素、铟元素、银元素、铜元素、镍元素...

本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为ＰＮ二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了ＰＮ...

本发明揭示了一种用于相变存储器的Ｓｉ－Ｓｂ－Ｓｅ相变薄膜材料，其组分为Ｓｉ↓［ｃ］Ｓｂ↓［ａ］Ｓｅ↓［ｂ］，其中，４８≤ｂ≤６０，２０≤ａ≤４０，８≤ｃ≤４０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００；或６０≤ｂ≤８０，２０≤ａ≤４０，３≤ｃ≤２０，ａ＋ｂ＋...

本发明涉及一种利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁的结构、制作方法及应用，属于微机械传感器领域。具体特征是在悬臂梁的固定端处表面制作集成驱动电阻，在悬臂梁的自由端处表面淀积特异性识别的敏感膜。当在驱动电阻上施加一定的交流叠...

本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径ＧａＮ作为厚膜的模板。在生长厚膜ＧａＮ之前，在（０００１）面蓝宝石衬底上，沉积一层ＧａＮ薄膜，然后在其上蒸发一层金属Ａｌ，再采用电化学的方法生成...

本发明涉及一种检测卤代烃的传感材料，其特征在于：中心为二价铂，与铂配位的两个配体为２－苯基吡啶，同时苯基上还存在芳基取代基。传感材料包括铂、２－苯基吡啶配体和苯基上的芳基或由芳基进一步构建成的寡聚物和聚合物。所述的芳基包括进一步构建成的...

本发明揭示一种高密度相变存储器的制备方法，该方法包括制备纳米电极阵列的步骤；利用聚焦离子束沉积设定化学元素的方法制备纳米电极阵列。所述方法还包括光刻对准标记的制备步骤；利用聚焦离子束沉积设定化学元素的方法制备光刻对准标记。本发明利用聚焦...

本发明涉及利用ＦＩＢ沉积纳米锥形底电极从而制备硫系化合物存储单元器件的方法，其包括以下步骤：首先，在（１００）取向的硅片上面，应用化学气相沉积的方法制备一层Ｓｉ↓［ｘ］Ｎ介质层；然后使用磁控溅射的方法沉积Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ作为底层电极材...

本发明涉及一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条。将低应力的氮化硅薄膜膜区设计为长矩形，根据膜区的应力分布，充分利用多晶硅电阻条的纵...

本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用ＣＶＤ技术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用９０ｎｍ以下ＣＭＯＳ工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备纳米图形，并利用...

本发明提供一种快速模拟出相变材料的方法，其首先建立能形成Ａ↓［ｊ］Ｂ↓［ｉ］二元晶态化合物的Ａ和Ｂ元素库，并分别从Ａ和Ｂ元素库中选择出相应的元素以模拟形成Ａ↓［ｊ］Ｂ↓［ｉ］二元晶态化合物，然后根据右下式计算所模拟形成的Ａ↓［ｊ］Ｂ↓［...

本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于１０ｎｍ。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：①单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间...

本发明揭示了一种制备相变存储器的方法，包括：制备底层介质层的步骤；制备底层电极的步骤；制备标记图形的步骤；制备标记保护层的步骤；制备相变材料的步骤；制备刻蚀相变材料掩膜的步骤：利用自组装有序排列的聚苯乙烯微球做掩膜刻蚀相变材料；制备相变...

一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接着采用聚焦离子束沉积法沉积用于光刻的多个...

本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪（ＳＨＥＢ）制备方法，包括以下步骤：（１）超薄超导薄膜准备；（２）电极制作；（３）广义微桥形成；（４）纳米尺寸桥区形成。其特征是：在（４）中，采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发...

本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移...

本发明涉及一种提高谐振式超薄悬臂梁传感器的表面应力敏感方法，属于微机械传感技术领域。具体特征是在超薄的谐振式悬臂梁的上、下表面上均自组装生长能够进行选择特异性识别的单分子敏感膜，当敏感分子与待检测的目标分子特异性结合后，目标分子之间的相...

本发明涉及一种用于扭转模态超薄硅微机械悬臂梁检测压阻和压阻的检测方法，属于微机械传感技术领域。具体特征是利用微机械悬臂梁在扭转模态下的剪切应力分布特点，将用于信号检测的压阻掺杂区域贯穿到整个硅悬臂梁的厚度，打破了传统弯曲模态下微机械悬臂...

本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层ＳｉｘＮ介质层；依次沉积Ａｌ层、Ｔｉ层、ＴｉＮ层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备ＳｉｘＯ作为绝...