本发明涉及一种荧光化合物及其在检测痕量硝基苯类物质中的应用，其特征在于所述的荧光化合物通式为：，式中，ｎ１和ｎ３为１－５０的正整数，ｎ２为０－５０正整数，ｎ为大于或等于１的任意整数。测定的痕量硝基苯类物质下限可达０．１ｐｐｍ。

本发明公开了一种实现源体欧姆接触的ＳＯＩ?ＭＯＳ器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂Ｎ型源区和轻掺杂Ｎ型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩...

本发明提供的ＳＯＩ高压功率器件的制备方法，其首先在ＳＯＩ基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与ＳＯＩ基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化层的结构上进行包...

本发明的具有沟槽结构的ＳＯＩ高压功率器件芯片的制备方法，首先在ＳＯＩ基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽，再在凹陷区填充氧化物，并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化，使相对于所述隔离沟槽部位的残余顶层硅部分全部被氧化，接着再...

本发明公开了一种抑制ＳＯＩ浮体效应的ＭＯＳ结构的制作方法。本发明方法制作的ＳＯＩ?ＭＯＳ结构，其有源区包括：体区、Ｎ型源区、Ｎ型漏区、重掺杂Ｐ型区；其Ｎ型源区由硅化物和与之相连的Ｎ型Ｓｉ区两部分组成；所述重掺杂Ｐ型区位于硅化物与绝缘埋层...

本发明涉及一种可用太阳能供电的锂电池充电管理芯片，包括功率晶体管、控制单元、电池温度监测单元、电流调制放大器、电压调制放大器、芯片温度调制放大器、模拟／数字转换器和电流运算单元。其中，模拟－数字转换电路能够根据输入电压源的电流输出能力自...

本发明公开了一种多通道ＳＱＵＩＤ生物磁系统标定方法，是一种室温和低温相联合的标定方法。通过室温标定确定梯度计的等效误差面积，在低温下使用Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ线圈产生均匀的磁场，利用系统输出的对应电压信号和测量的误差面积，进行系统磁场电压系...

本发明公开了一种梯度计等效误差面积系数的标定方法：利用螺线管产生一定频率的均匀磁场，由于误差面积的存在，该磁场在梯度线圈中产生一定频率的电压信号，利用锁相放大原理进行微弱信号的提取，理论计算和实验相结合，实现面积误差系数的标定。基于以上...

本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构及其制备方法。该ＭＯＳ器件结构，包括Ｓｉ衬底和位于Ｓｉ衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Ｓｉ衬底之间设有...

本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料...

本发明涉及一种嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜片压阻式压力传感器及方法。其特征是所述微机械压力传感器由（１１１）单晶硅片单片单面体硅微机械加工而成，采用单晶硅薄膜作为压力传感器的感压膜片，膜片设计成规则六边形且相邻两边夹角均为１２０°，压力...

本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄...

本发明提供一种宽带毫米波小型渐变缝隙天线及应用，其特征在于在低介电常数基板一个面上采用印制电路板工艺制作渐变结构的缝隙作为辐射单元，在缝隙内距天线辐射端约１／４工作波长距离处，制作偶极子天线形式的辅助辐射结构，天线边缘采用周期结构，在低...

本发明涉及一种适用于自下而上电镀方法制作ＴＳＶ的电镀挂件，其特征在于所述的电镀挂件包括主体结构和不锈钢块，其中，主体结构的形状类似于方型的网球拍，球拍的主体部分为四周呈圆角的正方形，中央有圆形凹陷用于放置硅片，四周有六个开孔，用于放置丁...

本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字／位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字／位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字／位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽...

本发明涉及一类有机金属配合物与荧光共轭聚合物构建的复合传感材料、制备方法及应用，其特征在于所述的复合传感材料由荧光共轭聚合物和有机金属配合物组成；通过物理直接混合时，荧光共轭聚合物与有机金属配合物二者的摩尔比范围为１０００∶１～１００∶...

本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法，包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合，其特征在于以金和硅为键合材料，通过加温加压的方式实现了键合。由于Ａｕ不易氧化，所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Ａｕ／...

本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅（ＳＧＯＩ）材料的方法。首先在体硅上外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉｅｐｉ／Ｓｉ１－ｙＧｅｙ结构的多层材料，其中０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ为外延材料的上表面。控制外延的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ和Ｓｉ１－ｙＧ...

本发明涉及一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅（ＳＧＯＩ）材料的方法。首先在体硅上外延Ｓｉｅｐｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ结构的多层材料，其中０＜ｘ＜１，Ｓｉｅｐｉ为外延材料的上表面。控制外延的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄膜的厚度，使其小于临界厚度，以保证...

本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用，本发明的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的ｐＨ值为碱性，且金属杂质含量在１００ｐｐｍ以下。本发明的抛光组合物能显著提高抛光速率与表面质量，提高生产...