【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化学机械抛光抛光液配置领域，具体设计一种提高硅衬底化学机械抛 光速率的抛光组合物。
技术介绍
化学机械抛光是一种广泛用于微电子领域的一种工艺方法，无论在衬底的抛光还 是在集成电路的制备过程都是非常必要的过程。微电子用的硅片衬底必须经过化学机械抛 光才能达到无损伤的镜面，从而符合后续曝光的要求。通常情况下，硅片抛光分为三个步 骤。首先是粗抛，目的是去除前面切割、研磨和腐蚀加工工艺留下的损伤层，在此过程中要 求非常高的去除速率和较低的表面粗糙度；其次是中抛与细抛，目的是去除粗抛过程留下 的损伤，此过程要求较高的速率及获得低的表面粗糙度；最后是精抛，目的是获得无损伤， 完全镜面的表面，此过程要求极低的粗糙度。在现代硅材料加工过程中，效率越来越重要， 效率高能提高生产效益。硅片抛光所用的抛光液已经被广泛的研究以及获得了应用。但是 新产品开发一直持续，而且这些技术一直被几家大公司所垄断。硅片抛光液一般是在碱性条件下，用氧化硅做磨料，加入表面活性剂、氧化剂、螯 合剂等提高速率与表面的辅助剂。美国专利3170273公开了一种包含磨料5-200纳米硅溶 胶，浓度在...
【技术保护点】
一种用于硅衬底化学机械抛光的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的ｐＨ值为碱性，且金属杂质总含量在１００ｐｐｍ以下。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪海波，宋志棠，刘卫丽，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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