防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构及其制备方法。该ＭＯＳ器件结构，包括Ｓｉ衬底和位于Ｓｉ衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Ｓｉ衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Ｓｉ衬底之间设有ＳｉＧｅ隔层。该ＭＯＳ器件结构的沟道可以通过ＳｉＧｅ隔层向Ｓｉ衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Ｓｉ衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Ｓｉ＼ＳｉＧｅ＼Ｓｉ外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种MOS器件结构及其制作工艺，尤其涉及一种防止浮体效应 (Floating Body Effect)及自加热效应(Self-heating Effect)的MOS器件结构及其制作 工艺，属于半导体制造

技术介绍
SOI (Silicon On Insulator)是指绝缘体上硅技术，由于SOI技术减小了源漏的寄 生电容，SOI电路的速度相对传统体硅电路的速度有显著的提高，同时SOI还具有短沟道效 应小，很好的抗闭锁性，工艺简单等一系列优点，因此SOI技术已逐渐成为制造高速、低功 耗、高集成度和高可靠超大规模硅集成电路的主流技术。然而，SOI器件存在浮体效应及自 加热效应，它们会导致器件性能的退化，严重影响器件的可靠性，当器件尺寸缩小时，其负 面影响显得更为突出，因此大大限制了 SOI技术的推广。SOI中埋氧层(BOX)的隔离作用， 使得体区处于悬空状态，碰撞电离产生的电荷无法迅速移走，导致了 SOI器件的浮体效应。 另外，埋氧层的热导率很低，因此使SOI器件存在自加热效应，当SOI器件工作时，埋氧层热 阻大，器件温度过高，从而影响了器件性能。近年来，为了克本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构，其特征在于，包括：Ｓｉ衬底、有源区、栅区、绝缘埋层、ＳｉＧｅ隔层和浅沟槽隔离结构；所述有源区位于Ｓｉ衬底之上，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区；所述栅区位于沟道之上；所述有源区与Ｓｉ衬底由所述绝缘埋层和ＳｉＧｅ隔层隔开，所述ＳｉＧｅ隔层设置在沟道中部与Ｓｉ衬底之间，所述绝缘埋层设置在所述源区、漏区以及沟道两侧与Ｓｉ衬底之间，将所述ＳｉＧｅ隔层包围；对于ＮＭＯＳ器件，ＳｉＧｅ隔层采用Ｐ型的ＳｉＧｅ材料；对于ＰＭＯＳ器件，ＳｉＧｅ隔层采用Ｎ型的ＳｉＧｅ材料；所述浅沟槽隔离结构设置在有源区周围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，王曦，黄晓橹，陈静，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]