门关断闸流晶体管及其制造方法技术

具有半导体基片（１）的门关断闸流晶体管（ＧＴＯ），至少包括—Ｐ型导电阳极层（４），—ｎ型基区层（６），—和门电接触的Ｐ型基区层（７）和一包括用作ｎ＋［＋］发射极的重掺杂区（１０）和轻掺杂区（９）的ｎ型导电阴极层（８）。区（１０）与基片（１）表面相毗连，其掺杂浓度至少较Ｐ型基区层的高一个数量级。区（９）位于层（７）和层（８）形成的ｐｎ结Ｊ－［１］与层（８）的区（１０）之间。按照本发明专利技术的实施例，在台面结构ＧＴＯ中，区（１０）使区（９）在指形阴极（２）的中央条形区（５）从ｐｎ结Ｊ－［１］延伸到基片（１）表面。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
具有半导体基片（１）的门关断闸流晶体管，至少包括：ａ）一个Ｐ型导电阳极层（４），ｂ）一个ｎ型基区层（６），ｃ）一个和门电接触的Ｐ型基区层（７），ｄ）一个ｎ型导电阴极层（８）；其中，ｅ）阴极层（８）包括与半导体基片（１ ）表面毗连的重掺杂区（１０），用作ｎ↑〔＋〕发射极，其掺杂浓度数量级至少高于Ｐ型基区层（７），ｆ）阴极层（８）还包括与一个由阴极层（８）和Ｐ型基区层（７）形成ｐｎ结毗连的轻掺杂区（９），其掺杂浓度与Ｐ型基区层（７）在相对阴极层（８）的ｐ ｎ结处的掺杂浓度相差不大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得罗格韦勒，
申请(专利权)人：BBC勃郎勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]