一种顶闸极型晶体管数组基板制造技术

本实用新型专利技术提供一种顶闸极型晶体管数组基板，包括一透明基板、一离子释出层、一像素数组与一第一绝缘层。透明基板具有一平面，而离子释出层设置于透明基板上，并全面性地覆盖平面。像素数组设置于离子释出层上，并包括多个晶体管与多个像素电极。各个晶体管包括一源极、一汲极、一闸极与一金氧半导体层。汲极、源极与金氧半导体层皆设置于离子释出层上，而这些像素电极分别电性连接这些汲极。闸极设置于金氧半导体层的上方，而第一绝缘层设置于这些金氧半导体层与这些闸极之间。金氧半导体层接触离子释出层。离子释出层能释出多个离子至金氧半导体层。本实用新型专利技术能避免金氧半导体层的电阻值发生改变，进而提升液晶显示器的可靠性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种晶体管数组基板，且特别是有关于一种顶闸极型晶体管 ^(top-gate type transistor array substrate)。
技术介绍
目前已出现一种具有金氧半导体层(Metal Oxide Semiconductor Layer, MOS Layer)的液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)。这种液晶显示器所具有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，其主动层(active layer)是由金氧半导体所制成。当这种液晶显示器运作时，正电压会施加到薄膜晶体管的闸极(gate)，以使闸极会产生电场 (electric filed)。半导体层内的多个氧离子(oxide ion，化学式为02_)因受到上述电场的驱使而朝向闸极移动。当这些氧离子朝向闸极移动时，会造成金氧半导体层内发生氧空缺的现象。也就是说，金氧半导体层内会出现缺乏氧离子的区域。一旦过多的氧离子移向闸极的话，则金氧半导体层的电阻值会发生改变，从而影响液晶显示器的运作，导致液晶显示器的可靠性 (reliability)下降。
技术实现思路
本技术提供一种顶间极型晶体管数组基板，其所具有的离子释出层能抑制发生上述氧空缺的现象。本技术提出一种顶闸极型晶体管数组基板，其包括一透明基板、一离子释出层、一像素数组以及一第一绝缘层。透明基板具有一平面，而离子释出层设置于透明基板上，并全面性地覆盖平面。像素数组设置于离子释出层上，并包括多个晶体管与多个像素电极。各个晶体管包括一源极、一汲极、一间极以及一金氧半导体层。汲极、源极与金氧半导体层皆设置于离子释出层上，而这些像素电极分别电性连接这些汲极。金氧半导体层接触离子释出层、源极与汲极，并局部覆盖源极与汲极。离子释出层适于释出多个离子至金氧半导体层中。间极设置于金氧半导体层的上方。第一绝缘层设置于这些金氧半导体层与这些闸极之间，并覆盖这些金氧半导体层、这些源极以及这些汲极。上述离子释出层为一二氧化钛层。上述二氧化钛层为一非晶二氧化钛层或一多晶二氧化钛层。上述离子释出层为一陶瓷层。上述金氧半导体层为一铟镓锌氧化物层或一铟锡锌氧化物层。上述顶间极型晶体管数组基板还包括一第二绝缘层。第二绝缘层设置于第一绝缘层上，并覆盖这些晶体管，其中这些像素电极设置于第二绝缘层上。上述像素数组还包括多条数据线。这些数据线设置于第二绝缘层上，并分别电性连接这些源极。上述像素数组还包括多个第一导电柱与多个第二导电柱。这些第一导电柱与这些第二导电柱皆设置于第二绝缘层内，其中这些第一导电柱连接于这些像素电极与这些汲极之间，而这些第二导电柱连接于这些数据线与这些源极之间。基于上述，由于金氧半导体层接触离子释出层，因此离子释出层能释出多个离子至金氧半导体层中，从而抑制金氧半导体层内发生氧空缺的现象。如此，能避免金氧半导体层的电阻值发生改变，进而提升液晶显示器的可靠性。附图说明图1是本技术一实施例的顶闸极型晶体管数组基板的剖面示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图1是本技术一实施例的顶闸极型晶体管数组基板的剖面示意图。请参阅图 1，本实施例的顶闸极型晶体管数组基板100包括一透明基板110、一离子释出层120以及一像素数组130。透明基板110具有一平面112，而离子释出层120设置于透明基板110上， 并全面性地覆盖平面112。像素数组130设置于离子释出层120上，并且包括多个晶体管132以及多个像素电极134，其中这些像素电极134分别电性连接这些晶体管132。这些像素电极134可以皆为透明导电膜，而像素电极134的材质例如是铟锡氧化物andium Tin Oxide layer, ITO) 或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide layer, IZ0)。各个晶体管132为一种金氧半导体场效晶体管(Metal-Oxide-kmiconductor Field Emission Transistor, M0SFET)，所以各个晶体管 132 包括一闸极 G1、一源极 Si、一汲极Dl以及一金氧半导体层Ml。这些源极Si、这些汲极Dl以及这些间极Gl可以皆为金属层，而这些金氧半导体层Ml可以皆为铟镓锌氧化物层或铟锡锌氧化物层。在同一个晶体管132中，源极Si、汲极Dl以及金氧半导体层Ml皆设置于离子释出层120上。金氧半导体层Ml接触离子释出层120、源极Sl与汲极D1，并且局部覆盖源极 Sl与汲极D1，如图1所示。闸极Gl设置于金氧半导体层Ml的上方，所以金氧半导体层Ml 位于闸极Gl与汲极Dl之间，以及闸极Gl与源极Sl之间。顶间极型晶体管数组基板100还可以包括一第一绝缘层140，而第一绝缘层140设置于这些金氧半导体层Ml以及这些间极Gl之间，所以这些间极Gl设置于第一绝缘层140 上。此外，第一绝缘层140覆盖这些金氧半导体层Ml、这些源极Sl以及这些汲极D1。顶间极型晶体管数组基板100还可包括一第二绝缘层150，而像素数组130还可包括多个第一导电柱136，其中第二绝缘层150设置于第一绝缘层140上，并覆盖这些晶体管 132，而这些像素电极134设置于第二绝缘层150上。这些第一导电柱136设置于第二绝缘层150内，并连接于这些像素电极134与这些汲极Dl之间。如此，通过第一导电柱136，像素电极134得以电性连接汲极D1。此外，第一导电柱136的材质可以相同于像素电极134 的材质。在本实施例中，像素数组130还可以包括多条数据线138d以及多个第二导电柱137。这些第二导电柱137设置于第二绝缘层150内，并且连接于这些数据线138d与这些源极Sl之间。如此，这些数据线138d能通过这些第二导电柱137来分别电性连接这些源极Si，以使像素电压(pixel voltage)能通过这些数据线138d而传递至这些源极Sl。此外，像素数组130还可以包括多条扫描线(scan line)。这些扫描线可以设置在第一绝缘层140以及第二绝缘层150之间，并且连接这些闸极G1，其中扫描线与数据线 138d交错，以使这些扫描线与这些数据线138d呈网状排列。此外，各个闸极Gl可与一条扫描线整合成一体。详细而言，同一列(row)晶体管132中的各个闸极Gl的形状可以是长条状，而这些闸极Gl彼此相连，以形成一条金属线，其中此金属线即为扫描线。值得一提的是，在其他实施例中，顶间极型晶体管数组基板100可以不包括任何第二绝缘层150，而这些像素电极134可以设置于第二绝缘层150上，并且位于相邻二条扫描线之间。因此，图1所示的第二绝缘层150仅为举例说明，并非限定本技术。离子释出层120可以是一种过渡金属(transition metal)的化合物，例如是过渡金属氧化物，而在本实施例中，离子释出层120可以是二氧化钛层或陶瓷层，其中此二氧化钛层可以是非晶二氧化钛层或多晶二氧化钛层，且二氧化钛层可以是通过溅镀 (sputtering)来形成。当顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑晃忠，黄昱智，杨柏宇，姜信铨，李怀安，
申请(专利权)人：深圳华映显示科技有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：