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具有半导体基片（１）的门关断闸流晶体管（ＧＴＯ），至少包括—Ｐ型导电阳极层（４），—ｎ型基区层（６），—和门电接触的Ｐ型基区层（７）和一包括用作ｎ＋［＋］发射极的重掺杂区（１０）和轻掺杂区（９）的ｎ型导电阴极层（８）。区（１０）与基片（１）...
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