一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO2悬臂梁的方法技术

技术编号:3817048 阅读:306 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法,属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构,并且使用钛金铬三层复合金属作为引线,与硅压阻形成良好的欧姆接触,同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明专利技术的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二氧化硅微悬臂梁的制作方法,更确切的说涉及一种使用四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)湿法腐蚀从硅片单面低成本释放悬臂梁 结构以及三层金属复合引线与硅压阻形成良好的欧姆接触的方法。属于硅微 机械制造

技术介绍
目前,微机械悬臂梁传感器由于其体积微小、灵敏度高、响应迅速以及 适用性强等特点,在生化检测、压力敏感、惯性测量等方面得到了广泛的应 用。其中利用应力敏感的二氧化硅微悬臂梁传感器,由于结构简单、灵敏度 高、信噪比高、便于在线检测等特点,在化学检测、生物反应、微流控芯片 等方面具有广阔的前景。以往的国内外许多研究者利用微电子制造技术设计制作二氧化硅悬臂梁 传感器,但是制作方法比较复杂、成品率比较低、代价也比较昂贵。例如 Hai-Feng Ji等人曾在"Simulation of SiO2-based piezoresistive microcantilevers (Sensors and Actuators A, Vol 125, pp.526-533, 2006)"中提到一种使用深反应 离子刻蚀,从硅片背面进行深度刻蚀释放二氧化硅悬臂梁结构。Peng L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO↓[2]悬臂梁的方法,包括压阻敏感电阻的形成,金属引线的形成、敏感薄膜粘附层的形成和悬臂梁的形成和释放,其特征在于使用四甲基氢氧化铵水溶液湿法腐蚀从硅片单面释放悬臂梁和使用钛金铬三层复合金属作为引线,与硅压阻形成欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李昕欣陈滢杨永亮
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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