一种用于湿法腐蚀晶片的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于湿法腐蚀晶片的装置，包括：底部支撑结构，用于支撑所述晶片；与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。本发明专利技术使得腐蚀液能够与晶片边缘充分接触，同时增加了腐蚀液体的流动性，提高了腐蚀后晶片边缘与中间的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
—种用于湿法腐蚀晶片的装置
本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种用于湿法腐蚀晶片的装置。
技术介绍
湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触到的材料通过化学反应逐步侵蚀溶掉。湿法腐蚀的腐蚀速率快、工艺简单、成本低，腐蚀厚度可以达到整个硅片的厚度，具有较高的机械灵敏度，因此在微电子、微光学、微机械系统等领域都有十分广泛的应用。 目前主流的用于湿法腐蚀晶片的装置，都是采用花篮状装置盛装晶片，然后再把整个花篮状装置放入腐蚀液中进行腐蚀。图1是现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置结构示意图。如图1所示，通用的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置有两个相对设置的托架结构——第一托架1和第二托架2，其中第一托架1和第二托架2相对的那一侧的表面上分别设置有多个卡槽，并且这些卡槽一一对应。这样，需要腐蚀的晶片边缘就可以放在这些卡槽中，以确保晶片在腐蚀的过程中位置固定，并且在多个晶片同时腐蚀时不会互相碰撞，互相影响。 图2是晶片放置在现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置中的截面示意图。如图2所示，现有湿法腐蚀用的花篮边缘对晶片3的包裹性比较好，晶片3位于第一托架1和第二托架2中的面积比较多，导致腐蚀液体很难与晶片边缘位置进行充分接触并发生腐蚀反应，从而导致晶片的边缘腐蚀速率会有明显的降低，并且腐蚀后的晶片边缘与中间存在不均匀现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种用于湿法腐蚀晶片的装置，解决湿法腐蚀过程中晶片的边缘腐蚀速率低，并且腐蚀后晶片整体不均匀的技术问题。 本专利技术公开了一种用于湿法腐蚀晶片的装置，包括: 底部支撑结构，用于支撑所述晶片； 与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构； 第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构； 分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。 进一步地，所述第一横梁结构和所述第二横梁结构分别包括一个或多个间隔设置的横梁。 进一步地，所述第一横梁结构中的一个横梁以及与其对应的所述第二横梁结构中的一个横梁分别设置为使得所述第一固定装置与第二固定装置能够固定所述晶片的最远相对端。 进一步地，所述侧面支撑结构上设有开口结构。 进一步地，所述第一固定装置和第二固定装置分别包括多个凹槽。 进一步地，所述第一固定装置的多个凹槽与所述第二固定装置的多个凹槽一一对应。 进一步地，所述底部支撑结构上设置有多个凹槽，其中，所述底部支撑结构上的多个凹槽与所述第一固定装置上的多个凹槽和所述第二固定装置上的多个凹槽一一对应。 进一步地，所述底部支撑结构是底杆或底板。 进一步地，所述底杆与所述第一横梁结构和第二横梁结构平行设置。 进一步地，所述用于湿法腐蚀晶片的装置的材料是聚四氟乙烯。 本专利技术通过使用横梁结构代替传统的托架结构，减少了用于湿法腐蚀晶片的装置与晶片的接触面积，增加了腐蚀液体的流动性，从而解决了湿法腐蚀过程中晶片的边缘腐蚀速率低的问题，改善了腐蚀后晶片的片内均匀性。 【附图说明】 图1是现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置结构示意图。 图2是晶片放置在现有的用于湿法腐蚀晶片的花篮状装置中的截面示意图。 图3是本专利技术第一实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。 图4是本专利技术第一实施例中晶片放置在用于湿法腐蚀晶片的装置中的截面示意图。 图5是本专利技术第二实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。 图6是本专利技术第三实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部。 实施例一 图3是本专利技术第一实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。如图3所示，本实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置，包括: 底部支撑结构21，用于支撑所述晶片，所述底部支撑结构可以是底板，也可以是底杆。 与所述底部支撑结构21连接并且相对设置的两个侧面支撑结构，即第一侧面支撑结构22和第二侧面支撑结构23。 第一横梁结构24和第二横梁结构25，其中所述第一横梁结构24和第二横梁结构25相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构，其中所述第一横梁结构24和第二横梁结构25可以包括一个或多个横梁，优选地，所述第一横梁结构24和第二横梁结构25分别包括一个横梁，其中所述第一横梁结构24包括的横梁以及与其对应的所述第二横梁结构25包括的横梁分别设置为对应于所述晶片的最远相对端。 分别设置在所述第一横梁结构24和第二横梁结构上25的第一固定装置26和第二固定装置27，所述第一固定装置26和第二固定装置27相互配合,用于固定所述晶片。 下面通过图4对本专利技术做进一步说明，图4是本专利技术第一实施例中晶片放置在用于湿法腐蚀晶片的装置中的截面示意图。如图4所示，所述底部支撑结构21，用于支撑需要进行湿法腐蚀加工的晶片3，所述第一固定装置26用于固定所述晶片3的左边缘，所述第二固定装置27用于固定所述晶片3的右边缘。由于所述第一固定装置26和所述第二固定装置27分别设置为固定所述晶片的最远相对端，这样，所述晶片3同一直径上的左右两个边缘上只有一小块面积分别被所述第一固定装置26和所述第二固定装置27遮挡，而晶片3的其他边缘部分都能够充分地暴露在腐蚀溶液中。 本专利技术第一实施例通过使用横梁结构代替传统的托架结构，并且横梁结构设置在所述晶片的最远相对端，最大限度地减少了用于湿法腐蚀晶片的装置与晶片的接触面积，增加了腐蚀液体的流动性，从而解决了湿法腐蚀过程中晶片的边缘腐蚀速率低的问题，改善了腐蚀后晶片的片内均匀性。 实施例二 图5是本专利技术第二实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置结构示意图。如图5所示，本实施例的用于湿法腐蚀晶片的装置，包括: 底部支撑结构，用于支撑所述晶片。所述底部支撑结构是底板31，所述底板31上设置有多个凹槽38。 与所述底板31连接并且相对设置的两个侧面支撑结构，即第一侧面支撑结构32和第二侧面支撑结构33，其中所述第一侧面支撑结构32上设有开口结构，使得整个所述第一侧面支撑结构32呈字母型。 第一横梁结构和第二横梁结构，所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构，其中，所述第一横梁结构包括两个横梁，即横梁341和横梁342，第二横梁结构包括两个横梁，即横梁351和横梁352，其中所述横梁341和所述横梁351相对设置，所述横梁342和所述横梁352相对设置。 所述横梁341和所述横梁342上设置有第一固定装置36，所述横梁351和所述横梁352上设置有第二固定装置37，所述第一固定装置36和第二固定装置37相互配合，用于固定所述晶片。 在本实施例的一个优选实施方式中，所述第一固定装置36和第二固定装置37分别包括多个凹槽，并且所述第一固定装置36的多个凹槽与所述第二固定装置37的多个凹槽一一对应。所述底板31上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，包括：底部支撑结构，用于支撑所述晶片；与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构；第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构；分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。

【技术特征摘要】
1.一种用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，包括: 底部支撑结构，用于支撑所述晶片； 与所述底部支撑结构连接并且相对设置的两个侧面支撑结构； 第一横梁结构和第二横梁结构，其中所述第一横梁结构和第二横梁结构相对设置，用于连接所述两个侧面支撑结构； 分别设置在所述第一横梁结构和第二横梁结构上的第一固定装置和第二固定装置，所述第一固定装置和第二固定装置相互配合，用于固定所述晶片。2.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一横梁结构和所述第二横梁结构分别包括一个或多个间隔设置的横梁。3.如权利要求2所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于，所述第一横梁结构中的一个横梁以及与其对应的所述第二横梁结构中的一个横梁分别设置为使得所述第一固定装置与第二固定装置能够固定所述晶片的最远相对端。4.如权利要求1所述的用于湿法腐蚀晶片的装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙其梁，徐振宇，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32