采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明专利技术利用有机物ＢＣＢ低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作ＴＳＶ封装（Ｔｈｒｏｕｇｈ?Ｓｉｌｉｃｏｎ?Ｖｉａ，穿硅通孔）的方法，所述的ＴＳＶ封装的制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层ＢＣＢ后进行光刻；ＴＳＶ晶圆正面ＤＲＩＥ刻蚀出ＴＳＶ阵列；支撑晶圆带有ＢＣＢ的一面与ＴＳＶ晶圆正面经对准后在键合机中进行ＢＣＢ低温键合；将ＴＳＶ晶圆减薄后制作ＴＳＶ后续工艺。本发明专利技术提供的ＴＳＶ封装制作工艺具有较高的可靠性，采用的设备和工艺均为半导体加工的常规工艺和设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔(Through silicon viaTSV) 封装的制作工艺，更确切地说本专利技术涉及一种利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下 将晶圆减薄后制作TSV的方法，属于圆片级TSV三维互连封装

技术介绍
为了满足超大规模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的3D堆叠式封装技术应运 而生。它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯片和多种技术集成到单个封装体 中，是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间 制造垂直电学导通，实现芯片之间互连 的封装互连技术，与以往的IC封装键合和使用凸点的工艺技术不同的是所述的工艺采用 TSV(Through Silicon Via，穿硅通孔)代替了 2D_Cu互连，能够使芯片在三维方向堆叠的 密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。因此，业内人士将TSV 称为继引线键合(Wire Bonding)、载带自动焊(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技 术。通常，晶圆TSV结构的制作方式主要为(1)通孔制备。采用DRIE在晶圆上制备高 深宽比的垂直Si通孔；(2)通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于所述的制作工艺是利用ＢＣＢ低温键合的裸支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作的，具体工艺步骤是：（１）在裸支撑晶圆上首先溅射一层Ａｕ层，然后涂覆层ＢＣＢ，ＢＣＢ经光刻后成型，使即将键合ＴＳＶ通孔位置处的ＢＣＢ去除；（２）以ＳｉＯ↓［２］为掩膜，采用ＤＲＩＥ方法刻蚀ＴＳＶ晶圆，正面形成ＴＳＶ阵列图形；（３）将裸支撑晶圆涂覆有ＢＣＢ的一面与步骤２所述的ＴＳＶ晶面的正面进行对准，使ＴＳＶ通孔开口处与裸支撑晶圆上去掉ＢＣＢ的位置对准后，在键合机中进行升温加压键合；（４）升温加压键合后，用ＣＭＰ方法将ＴＳＶ晶圆背面进行研磨，使ＴＳＶ上的阵列图形露出，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈骁，罗乐，徐高卫，袁媛，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]